MOSFET SiC SCT4062KTWHR

pour applications automobilesà grande vitesseen carbure de silicium

Vue d'ensemble
Le MOSFET SiC SCT4062KTWHR en boîtier TSC3PAK est destiné aux applications de commutation et de conversion d'énergie haute tension. Il associe faible résistance à l'état passant et commutation rapide pour réduire les pertes de commutation tout en offrant la fiabilité requise pour les environnements automobiles et industriels.

Boîtier et avantages principaux
TSC3PAK : boîtier CMS à dissipation thermique par le dessus, compatible montage automatisé et offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants de type TO‑247. La structure de rainure propriétaire ROHM garantit une distance de fuite minimale de 6,66 mm, supportant 1200 V en pointe AC en environnement Pollution Degree 2.

Caractéristiques

• Qualifié AEC‑Q101 (grade automobile)
• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance Drain‑Source en conduction (RDS(on) typ. 62 mΩ)
• Commutation rapide et récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle et commande simplifiée
• Placage sans plomb des broches ; conforme RoHS

Exemples d'applications

• Automobile : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques
• Onduleurs PV et convertisseurs d'énergie renouvelable
• Alimentations pour serveurs et télécoms

Contexte de développement
Conçu pour répondre aux besoins d'efficacité accrue et d'assemblage automatisé, ce MOSFET SiC en boîtier CMS offre des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants tout en réduisant les coûts d'assemblage et en maintenant une haute fiabilité pour les systèmes xEV et industriels.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Numéro de pièce : SCT4062KTWHRTCR
• Référence modèle : SCT4062KTWHR
• Boîtier : TSC3PAK (CMS, dissipation par le dessus)
• Type d'emballage : Taping
• Quantité par unité / quantité minimale : 600
• RoHS : Yes
• MSL : 1
• Tension Drain‑Source (V) : 1200 V
• Résistance Drain‑Source en conduction (Typ.) (mΩ) : 62 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 25 A
• Puissance dissipable totale (W) : 106 W
• Température jonction (Max.) (°C) : 175 °C
• Température stockage (°C) : -40 à 175 °C
• Dimensions boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Standard commun : AEC‑Q101 (Automotive Grade)