MOSFET résistance haute tension SCT4013DTW

SiCà grande vitesseen carbure de silicium

Aperçu Ce MOSFET SiC est présenté dans un boîtier SMD 9 broches TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) avec dissipation thermique par dessus. Le design du boîtier permet la mouture automatisée en surface tout en offrant une dissipation thermique comparable aux boîtiers traversants de type TO‑247. Une structure de gorge propriétaire assure une distance de fuite minimale de 6,66 mm, supportant des crêtes de tension AC jusqu'à 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Le composant utilise la technologie SiC MOSFET Trench de 4e génération de ROHM pour obtenir un faible RDS(on) et une commutation haute vitesse, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité de conversion.

Caractéristiques

• Large distance de fuite : min. 6,66 mm (supporte AC pic 1200 V, pollution degré 2)
• Faible résistance à l'état passant (Typ. RDS(on) 13 mΩ)
• Vitesse de commutation élevée et réduction des pertes de commutation
• Rapide récupération inverse
• Facile à associer en parallèle
• Exigences d'entraînement de grille simples
• Étain sans plomb ; conforme RoHS

Applications

• Chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques et conversion d'énergie renouvelable
• Alimentations de serveurs et équipements industriels nécessitant une conversion d'énergie à haute efficacité

Identifiants produit / Emballage Référence | SCT4013DTWTCR
Statut | Recommandé
Boîtier | TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
Conditionnement | Taping
Quantité par unité | 600
Quantité minimale | 600
RoHS | Oui
MSL | 1

Caractéristiques techniques

• Modèle : SCT4013DTW
• Tension Drain‑Source (Vds) : 750 V
• Résistance à l'état passant (Typ.) RDS(on) : 13 mΩ
• Génération / Structure : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (Id) : 102 A
• Puissance dissipable totale : 294 W
• Température jonction (Max.) : 175 °C
• Température de stockage : -40 °C à 175 °C
• Dimensions du boîtier : 14,0 × 18,58 mm (ép. ≈ 3,625 mm)
• Type de boîtier : 9 broches SMD, TSC3PAK avec dissipation thermique par dessus
• Distance de fuite : min. 6,66 mm (structure en gorge ROHM)
• Applications cibles : chargeurs embarqués xEV, compresseurs électriques, onduleurs PV, alimentations serveur