Transistors à effet de champ

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
HS8K11

Tension: 30 V
Courant: 0 A - 44 A

... HS8K11 est un MOSFET standard pour les applications de commutation Caractéristiques - Faible résistance. - Plombage sans plomb sans plomb ; conforme RoHS. - Sans halogène. Caractéristiques techniques Code d'emballage : HSML303030L10 Nombre ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

... MOSFET à canal P au niveau normal et logique, réduisant la complexité de conception dans les applications de moyenne et faible puissance Description : OptiMOS™ Les MOSFETs 60V à canal P en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tension: 110, 265 V

... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande ...

transistor FET
transistor FET

... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
VND series

... ST propose une large gamme d'interrupteurs bas-côté intelligents 3 et 5 broches de qualité automobile (OMNIFET) basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie brevetée permet l'intégration de circuits ...

transistor NPN
transistor NPN
CMKT3920

Tension: 50 V

... DESCRIPTION : Le semi-conducteur central CMKT3920 (deux transistors NPN simples) est une double combinaison dans un espace sOT-363 ULTRAmini™, conçu pour les applications d'amplification et de commutation de petits signaux ...

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Central Semiconductor
transistor bipolaire
transistor bipolaire
DMB series

Tension: 20, 50 V

... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...

transistor FET
transistor FET
ATF-33143

... Caractéristiques PHEMT à très faible bruit. Le procédé est optimisé pour donner un très faible niveau de bruit pour les stations de base cellulaires/PCS critiques et d'autres applications RF sans fil, une grande cohérence pièce à pièce ...

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Broadcom