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Tension: 30 V
Courant: 0 A - 44 A
... HS8K11 est un MOSFET standard pour les applications de commutation Caractéristiques - Faible résistance. - Plombage sans plomb sans plomb ; conforme RoHS. - Sans halogène. Caractéristiques techniques Code d'emballage : HSML303030L10 Nombre ...
... MOSFET à canal P au niveau normal et logique, réduisant la complexité de conception dans les applications de moyenne et faible puissance Description : OptiMOS™ Les MOSFETs 60V à canal P en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ...
Infineon Technologies - Sensors
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande ...
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...
... ST propose une large gamme d'interrupteurs bas-côté intelligents 3 et 5 broches de qualité automobile (OMNIFET) basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie brevetée permet l'intégration de circuits ...
Tension: 50 V
... DESCRIPTION : Le semi-conducteur central CMKT3920 (deux transistors NPN simples) est une double combinaison dans un espace sOT-363 ULTRAmini™, conçu pour les applications d'amplification et de commutation de petits signaux ...
Central Semiconductor
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...
... Caractéristiques PHEMT à très faible bruit. Le procédé est optimisé pour donner un très faible niveau de bruit pour les stations de base cellulaires/PCS critiques et d'autres applications RF sans fil, une grande cohérence pièce à pièce ...
Broadcom
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