MOSFET en carbure de silicium SCT4020DTW

SiCà grande vitesserésistance haute tension

Aperçu
Ce produit est un MOSFET en carbure de silicium (SiC) en boîtier TSC3PAK pour montage en surface avec une structure de dissipation thermique par le dessus. La surface de dissipation située sur le dessus du boîtier permet l'assemblage automatique tout en offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants. La structure de rainure propriétaire de ROHM assure un chemin de fuite (creepage) de 6,66 mm, permettant la prise en charge d'un pic de tension alternatif de 1200 V en environnement de pollution degré 2. Le dispositif utilise la 4e génération de MOSFET SiC (structure trench) de ROHM pour obtenir une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité des circuits de conversion d'énergie. Applications typiques : chargeurs embarqués et compresseurs électriques pour xEV, onduleurs PV et alimentations de serveurs.

Points clés

• MOSFET SiC en montage surface TSC3PAK avec dissipation thermique par le dessus.
• Rainure ROHM garantissant un chemin de fuite min. 6,66 mm pour 1200 V AC pic (pollution degré 2).
• 4ème génération (Trench) : faible Rds(on) et commutation rapide.

Caractéristiques

• Large chemin de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance à l'état passant (typ. 20 mΩ)
• Vitesse de commutation élevée et récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle et pilotage simple
• Placage sans plomb ; conforme RoHS

Emballage / Référence

• Référence : SCT4020DTWTCR
• Statut : Recommended
• Boîtier : TSC3PAK (dissipation par le dessus)
• Conditionnement : Taping
• Quantité par bobine : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1

Applications

• Chargeurs embarqués et compresseurs électriques pour xEV (STANDARD GRADE — non recommandé pour des applications automobiles critiques pour la sécurité)
• Onduleurs PV et alimentations de serveurs

Documents & modèles (sélection)

• Fiche technique disponible
• Modèles de simulation SPICE / PLECS / PSIM disponibles

Caractéristiques / spécifications techniques

• Tension drain-source : 750 V
• Résistance à l'état passant (Typ.) : 20 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain : 69 A
• Puissance dissipable totale : 208 W
• Température jonction (Max.) : 175 °C
• Température de stockage : -40 °C à 175 °C
• Dimensions du boîtier : 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)