MOSFET pour applications automobiles SCT4026DTW

en carbure de siliciumSiCà grande vitesse

Aperçu
Le SCT4026DTWTCR est un MOSFET SiC de 4e génération (Trench) en boîtier TSC3PAK avec structure de dissipation thermique par le dessus. Le boîtier positionne la surface de dissipation en partie supérieure, permettant l'assemblage automatisé en CMS tout en offrant des performances de refroidissement comparables aux boîtiers traversants. Une gorge propriétaire assure une distance de fuite minimale de 6,66 mm, prenant en charge des pics de tension alternative jusqu'à 1200 V en environnement de pollution degré 2. Le composant présente une faible RDS(on) et des commutations rapides pour réduire les pertes de commutation dans les convertisseurs de puissance.

Applications

• Chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques (PV)
• Alimentations pour serveurs et centres de données

Boîtier / Conditionnement
Référence | SCT4026DTWTCR
Statut | Recommended
Boîtier | TSC3PAK (dissipation supérieure)
Type de conditionnement | Taping
Quantité par unité | 600
Quantité minimale | 600
RoHS | Oui
MSL | 1

Caractéristiques principales

• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm (structure en gorge)
• Dissipation supérieure (TSC3PAK) pour montage CMS automatisé avec performances thermiques proches des boîtiers traversants
• Faible résistance ON (RDS(on) typ. 26 mΩ)
• Commutation haute vitesse et récupération inverse rapide
• Facilement parallélisable pour augmenter la capacité de courant
• Commandes de grille simples
• Platine sans plomb ; conforme RoHS

Remarques complémentaires
La structure de dissipation par le dessus et la conception en gorge permettent des marges d'isolement plus sûres et une meilleure fiabilité pour les applications haute tension, tout en réduisant les coûts d'assemblage grâce à l'automatisation CMS. Produit de gamme standard ; vérifier l'adéquation pour les applications critiques ou les exigences automobile avant utilisation.

Spécifications techniques

• Référence : SCT4026DTWTCR
• Tension drain‑source (VDS) : 750 V
• Résistance drain‑source en conduction (RDS(on), Typ.) : 26 mΩ
• Courant de drain (ID) : 54 A
• Puissance dissipable totale : 163 W
• Température jonction (Max.) : 175 °C
• Température de stockage : -40 °C à 175 °C
• Boîtier : TSC3PAK (dissipation supérieure)
• Dimensions du boîtier : 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Distance de fuite : 6.66 mm (supporte 1200 V AC pic en pollution degré 2)
• Génération : 4th Gen (Trench) SiC MOSFET
• Quantité par bande : 600
• Quantité minimale : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1