MOSFET résistance haute tension SCT4062KTW

à grande vitessepour applications automobilesSiC

Présentation
Ce MOSFET SiC est livré en boîtier TSC3PAK pour montage en surface, doté d'une surface de dissipation thermique en partie supérieure et d'une rainure propriétaire garantissant une distance de fuite de 6,66 mm. L'appareil prend en charge une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2, présente une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, et s'adresse aux conversions d'énergie efficaces en environnement industriel.

Caractéristiques clés

• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance drain-source à l'état passant (Typ. 62 mΩ)
• Commutation rapide et récupération inverse rapide
• Facilement parallélisable et simple à piloter
• Dissipation thermique par le dessus compatible SMT automatisé
• Placage sans plomb (Pb-free) ; conforme RoHS

Boîtier et refroidissement
Le boîtier TSC3PAK pour montage en surface avec dissipation par le dessus offre des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants classiques (classe TO-247) tout en permettant l'assemblage SMT automatisé. La structure en rainure améliore la distance de fuite et la fiabilité d'isolation pour les systèmes haute tension.

Applications

• Chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques pour xEV (voir la remarque sur l'usage automobile)
• Onduleurs PV et convertisseurs d'énergie renouvelable
• Alimentations de serveurs et équipements industriels nécessitant une commutation haute efficacité

Informations complémentaires
Faisant partie de la 4e génération de MOSFET SiC (Trench) de ROHM, ce produit combine faible Rds(on) et commutation rapide pour réduire les pertes de commutation. Remarque importante : ce produit est de QUALITÉ STANDARD et n'est pas recommandé pour les applications automobiles critiques.

Caractéristiques techniques

• Référence : SCT4062KTWTCR
• Nom commercial : SCT4062KTW
• Statut : Recommandé
• Boîtier : TSC3PAK
• Type d'emballage : Taping
• Quantité par bobine : 600
• Quantité minimale par emballage : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1
• Tension Drain-Source (V) : 1200 V
• Résistance Drain-Source à l'état passant (Typ.) : 62 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 25 A
• Puissance dissipable totale (W) : 106 W
• Température jonction (max.) (°C) : 175 °C
• Plage de température de stockage (°C) : -40 à 175
• Dimensions du boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)