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MOSFET résistance haute tension SCT4020DTWHR
à grande vitessepour applications automobilesSiC

MOSFET résistance haute tension - SCT4020DTWHR - ROHM Semiconductor - à grande vitesse / pour applications automobiles / SiC
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Caractéristiques

Spécifications
résistance haute tension, à grande vitesse, pour applications automobiles, SiC, en carbure de silicium
Matériau
en carbure de silicium, SiC, en semi-conducteur

Description

Présentation
Il s'agit d'un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK avec une structure de dissipation thermique par le dessus. Le TSC3PAK permet des performances thermiques proches des boîtiers traversants tout en conservant la compatibilité pour l'assemblage en montage en surface automatisé. La structure de rainure de ROHM assure une distance de fuite minimale de 6,66 mm, permettant la prise en charge d'une tension crête AC jusqu'à 1200 V en environnement de pollution degré 2. Le composant présente une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide pour réduire les pertes de commutation dans les circuits de conversion d'énergie. Applications typiques : chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques pour xEV, onduleurs PV et alimentations serveur.

Boîtier et mécanique
Boîtier : TSC3PAK (dissipation thermique par le dessus). Dimensions reportées : 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625) et autres références : 14,00 × 18,58 × 3,50 mm. La conception de dissipation par le dessus permet l'assemblage SMT tout en approchant la capacité thermique des boîtiers traversants.

Caractéristiques
  • Qualifié AEC-Q101 (grade automobile)
  • Large distance de fuite : min. 6,66 mm (structure de rainure ROHM)
  • Faible résistance Drain-Source en conduction (typ. 20 mΩ)
  • Commutation rapide et récupération inverse rapide
  • Facilement parallélisable et simple à piloter
  • Revêtement de broches sans plomb ; conforme RoHS


Identifiants produit et emballage
Références : SCT4020DTWHR (produit) / SCT4020DTWHRTCR (détails pièce). Statut : Recommandé. Type d'emballage : Taping. Quantité par bande/rouleau : 600. Quantité minimale par emballage : 600. RoHS : Oui. MSL : 1.

Informations de support (résumé)
Fiche technique, notes d'application, guides de conception thermique et modèles de simulation (SPICE, PLECS, PSIM) disponibles pour la famille de produits et le boîtier TSC3PAK. La documentation couvre les performances thermiques, les recommandations d'entraînement de grille, les circuits snubber, les mesures anti-oscillation en parallèle et les méthodes de mesure thermique.

Caractéristiques techniques
  • Numéro de pièce (page) : SCT4020DTWHRTCR
  • Modèle : SCT4020DTWHR
  • Tension Drain-Source (V) : 750 V
  • Résistance Drain-Source à l'état passant (Typ.) [mΩ] : 20 mΩ
  • Génération : 4th Gen (Trench)
  • Courant de drain [A] : 69 A
  • Puissance dissipable totale [W] : 208 W
  • Température jonction (Max.) [°C] : 175 °C
  • Température de stockage [°C] : -40 à 175
  • Taille du boîtier [mm] : 14,0 × 18,58 (t = 3,625) (TSC3PAK)
  • Distance de fuite : min. 6,66 mm (rainure ROHM)
  • Soutien tension crête AC en pollution degré 2 : jusqu'à 1200 V
  • Norme : AEC-Q101 (grade automobile)
  • Emballage : Taping ; Quantité par rouleau : 600 ; Quantité minimale : 600
  • RoHS : Oui ; MSL : 1

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