MOSFET en carbure de silicium SCT4045DTWHR

pour applications automobilesrésistance haute tensionà grande vitesse

Présentation du produit
Ce MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK dispose d'une surface de dissipation thermique située sur le dessus du boîtier, offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants tout en conservant la compatibilité montage en surface. La structure de rainure propriétaire de ROHM garantit une distance de fuite de 6,66 mm, autorisant une tenue à une tension crête alternative de 1200 V en environnement Pollution Degree 2. Le composant présente un faible RDS(on) et une commutation rapide pour réduire les pertes et améliorer l'efficacité des circuits de conversion d'énergie. Applications typiques : chargeurs embarqués xEV, compresseurs électriques, onduleurs PV et alimentations serveur.

Exemples d'application

• Automobile : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques
• Industriel / Énergie : onduleurs PV, alimentations pour serveurs

Caractéristiques

• Qualification AEC-Q101 (grade automobile)
• Largeur de creepage : min. 6,66 mm (prise en charge 1200 V AC crête en Pollution Degree 2)
• Faible résistance à l'état passant (RDS(on) typ. 45 mΩ)
• Commutation rapide et récupération inverse rapide
• Facilement parallélisable et simple à piloter
• Étain sans plomb ; conforme RoHS

Spécifications de la pièce
Référence | SCT4045DTWHRTCR
Statut | Recommandé
Boîtier | TSC3PAK
Type d'emballage | Taping
Quantité par unité | 600
Quantité minimale par package | 600
RoHS | Oui
MSL | 1

Caractéristiques techniques

• Tension drain-source (Vds) : 750 V
• Résistance à l'état passant (typ.) RDS(on) : 45 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant drain (Id) : 33 A
• Puissance dissipable totale : 106 W
• Température jonction (max.) : 175 °C
• Température stockage min. : -40 °C
• Température stockage max. : 175 °C
• Dimensions du boîtier : 14.0 x 18.58 mm (t = 3.625 mm)
• Norme : AEC-Q101 (grade automobile)