MOSFET SiC SCT4036DTWHR

résistance haute tensionà grande vitessepour applications automobiles

Présentation
Ce MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK à montage en surface intègre une structure de dissipation thermique par le dessus permettant l'assemblage automatisé tout en offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants. Une rainure propriétaire garantit un chemin de fuite minimal de 6,66 mm, prenant en charge un pic de tension AC de 1200 V en environnement de degré de pollution 2. La 4e génération de technologie SiC de ROHM assure un faible RDS(on) et une commutation rapide pour réduire les pertes et améliorer l'efficacité des circuits de puissance.

Caractéristiques

• Qualifié AEC-Q101 (automobile)
• Large distance de fuite : min. 6,66 mm (rainure propriétaire)
• Faible résistance à l'état passant (RDS(on) faible)
• Commutation rapide et récupération inverse rapide
• Facile à associer en parallèle et commande simple
• Cuivrage sans plomb ; conforme RoHS

Spécifications (résumé)

• Numéro de pièce : SCT4036DTWHRTCR
• Tension drain-source : 750 V
• Résistance drain-source à l'état passant (typ.) : 36 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant drain (référence) : 40 A
• Puissance dissipable totale : 128 W
• Température de jonction max. : 175 °C
• Plage de température de stockage : -40 à 175 °C
• Boîtier : TSC3PAK (dissipation thermique côté supérieur)
• Dimensions du boîtier : 14.0 x 18.58 mm (épaisseur ≈ 3.625 mm)
• Conditionnement : Taping ; quantité par bobine : 600 ; quantité minimum : 600
• RoHS : Oui ; MSL : 1

Applications

• Chargeurs embarqués (OBC) pour xEV
• Compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques
• Alimentations serveurs et télécom haute performance