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Courant: 95 A
Tension: 40 V
... RH6G040BG est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'enclenchement et un boîtier haute puissance, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Boîtier petit moule haute puissance (HSMT8) Placage sans plomb ...
ROHM Semiconductor
Courant: 60 A
Tension: 150 V
... RS6R060BH est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'enclenchement et un boîtier haute puissance, adapté à la commutation Faible résistance à l'enclenchement Boîtier haute puissance (HSOP8) Placage sans plomb ; conforme ...
ROHM Semiconductor
Courant: 210 A
Tension: 40 V
... RS6G120BG est un MOSFET de puissance avec une faible résistance à l'enclenchement et un boîtier haute puissance, adapté à la commutation. Faible résistance à l'enclenchement Boîtier haute puissance (HSOP8) Placage sans plomb ; conforme ...
ROHM Semiconductor
Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A
Tension: 4 500, 5 200 V
... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme des puces dans ...
Courant: 25 mA
Tension: 13 V
... CARACTÉRISTIQUES - Alimentation DC-DC intégrée et isolée, alimentation unique topologie d'alimentation unique - Tension d'isolation élevée de 3750VAC - Fréquence du signal d'entrée jusqu'à 20kHz - Circuit de défaut intégré avec une broche ...
Tension: 7,5 V
... 'étage de sortie Etage de sortie pour radio portable 700-800 MHz Circuit d'attaque générique de 6 W pour les transistors ISM et les transistors de l'étage final de radiodiffusion ...
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à plaquette mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs présentent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une ...
Courant: 600 A
Tension: 1 200 V
... Les modules IGBT Littelfuse offrent une grande efficacité et des vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisé pour les applications de contrôle ...
Tension: -60 V
... MOSFETs à canal P en niveau normal et logique, réduisant la complexité de conception dans les applications de moyenne et faible puissance Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée ...
Infineon Technologies AG
Courant: 100, 82 A
Tension: 20 V
... large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, telles que les appareils RF (radiofréquence) et les blocs d'alimentation. Un transistor de déclenchement renforcé par injection ...
... ST propose une large gamme d'interrupteurs bas-côté intelligents 3 et 5 broches de qualité automobile (OMNIFET) basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie brevetée permet l'intégration de circuits ...
STMicroelectronics
Courant: 0 A - 10 A
Renesas Electronics
Tension: 45 V
... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...
Central Semiconductor
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande ...
Power Integrations
Courant: 1 mA - 20 mA
Tension: 2,7 V
Broadcom
... Vishay est le premier fabricant mondial de MOSFET de faible puissance. La gamme de produits MOSFET de puissance Vishay Siliconix comprend des dispositifs dans plus de 30 types d'emballage, y compris les familles MICRO FOOT® et PowerPAK® ...
SEMIKRON
SEMIKRON
SEMIKRON
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...
Courant: 10, 43 A
Tension: 250, 500 V
... FAIRCHILD présente sa nouvelle ligne d'allumage automobile avec IGBT. Il est spécialement conçu pour avoir la densité d'énergie de pince la plus élevée de tous les appareils sur le marché et une basse tension de saturation. Offre des ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 10 A - 1 600 A
Tension: 600 V - 1 700 V
... Greegoo propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans différentes topologies, courants et tensions nominaux. De 15A à 1600A dans des classes de tension de 600V à 1700V, les modules ...
Courant: 2 A
Tension: 36 V
... Avec ce MOSFET, vous pouvez contrôler une tension allant jusqu'à 36 volts. La modulation de la largeur d'impulsion permet d'abaisser la tension quadratique moyenne (par exemple, pour faire varier l'intensité lumineuse d'une LED). COMPATIBLE ...
Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V
... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...
Diodes Incorporated
Tension: 8 V - 35 V
... Le module Bluetooth est un module de transition pour la communication de données entre le mobile et le groupe électrogène. Il est connecté au contrôleur du groupe électrogène via RS485. L'APP du mobile permet d'obtenir des informations ...
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Le transistor est un composant électronique semi-conducteur à trois broches ; il est utilisé comme interrupteur commandé ou bien comme amplificateur de signal.
ApplicationsLa technologie bipolaire est utilisée en électronique analogique et en électronique de puissance, en particulier comme amplificateur de courant et pour la régulation de tension.
Les transistors MOSFET sont appréciés pour leurs performances en commutation dans des applications de puissance et de haute tension, pour le contrôle de moteur et dans les alimentations à découpage.
On distingue principalement le transistor bipolaire du transistor FET, ou transistor à effet de champ. Le premier est commandé en courant par la base tandis que le second se commande en tension par la grille.
Ils se différencient en particulier par la nature de la chute de tension apparaissant dans le circuit commuté. Le transistor bipolaire introduit une chute de tension minimale liée aux jonctions semi conductrices. Le FET quant à lui présente l’équivalant d’une résistance de passage très basse, quelques millièmes d’ohm.
Les transistors bipolaires se déclinent en types N et P selon l’orientation du courant de commande sur la base.
Le transistor FET à canal P à tension de commande grille source négative est évité car ses performances sont moindres que le FET à canal N.
Il existe d’autres types de transistors : transistors pour la RF ou la HF, transistors Darlington à très fort gain et transistors IGBT et JFET.
Le gain, les courants admissibles et les tensions supportées, les limites en fréquences et le packaging sont des critères importants à prendre en compte dans le choix d’un transistor.
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