Transistors

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module transistors IGBT
module transistors IGBT
QC962-8A

module transistors IGBT
module transistors IGBT
QP12W05S-37

module transistors IGBT
module transistors IGBT
QP12W08S-37A

Tension: 13 V
Courant: 25 mA

... CARACTÉRISTIQUES - Alimentation DC-DC intégrée et isolée, alimentation unique topologie d'alimentation unique - Tension d'isolation élevée de 3750VAC - Fréquence du signal d'entrée jusqu'à 20kHz - Circuit de défaut intégré avec une broche ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
HS8K11

Tension: 30 V
Courant: 0 A - 44 A

... HS8K11 est un MOSFET standard pour les applications de commutation Caractéristiques - Faible résistance. - Plombage sans plomb sans plomb ; conforme RoHS. - Sans halogène. Caractéristiques techniques Code d'emballage : HSML303030L10 Nombre ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolaire
transistor bipolaire

Tension: 0 V - 120 V
Courant: 0 A - 5 A

... Disponible dans la variété d'emballages ayant la nature de petits signaux, minces et de grande puissance pour couvrir largement le marché. ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolaire
transistor bipolaire
DTA series

Tension: 12, 50, 60 V
Courant: 0,1, 0,5, 1 A

... Les transistors numériques sont inventés par Rohm d'abord sur le marché, qui est le transistor combinant une ou plusieurs résistances intégrées pour la commodité du circuit numérique. Ce segment de produits ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolaire
transistor bipolaire

Tension: 20 V
Courant: 100, 82 A

... large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, telles que les appareils RF (radiofréquence) et les blocs d'alimentation. Un transistor de déclenchement renforcé par injection ...

transistor IGBT
transistor IGBT
XPT™ series

Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V

... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à plaquette mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs présentent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une ...

module transistors IGBT
module transistors IGBT
MG12600WB-BR2MM series

Tension: 1 200 V
Courant: 600 A

... Les modules IGBT Littelfuse offrent une grande efficacité et des vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisé pour les applications de contrôle ...

transistor IGBT
transistor IGBT
StakPak

Tension: 4 500, 5 200 V
Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A

... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme des puces dans ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
IPD900P06NM

... MOSFET à canal P au niveau normal et logique, réduisant la complexité de conception dans les applications de moyenne et faible puissance Description : OptiMOS™ Les MOSFETs 60V à canal P en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ...

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Infineon Technologies - Sensors
transistor NPN
transistor NPN
HD1750FX

Tension: 1 700 V
Courant: 24 A

... Transistor de puissance NPN haute tension pour écrans CRT haute définition et nouveaux écrans super minces Le dispositif utilise un collecteur diffus en technologie planaire adoptant la "structure haute tension améliorée" ...

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STMicroelectronics
transistor NPN
transistor NPN

Courant: 0 A - 10 A

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Renesas Electronics
transistor NPN
transistor NPN
CMLM0405

Tension: 40 V
Courant: 200 mA

... DESCRIPTION : Le SÉMICONDUCTEUR CENTRAL CMLM0405 est un transistor NPN et une diode Schottky uniques, conditionnés dans un boîtier SOT-563 peu encombrant et conçu pour les applications générales de petits signaux où la ...

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Central Semiconductor
transistor bipolaire
transistor bipolaire
BCX51

Tension: 45 V

... DESCRIPTION : Les types de SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCX51, BCX52 et BCX53 sont des transistors au silicium PNP fabriqué par le procédé épitaxial planaire, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour ...

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Central Semiconductor
transistor NPN
transistor NPN
CMKT3920

Tension: 50 V

... DESCRIPTION : Le semi-conducteur central CMKT3920 (deux transistors NPN simples) est une double combinaison dans un espace sOT-363 ULTRAmini™, conçu pour les applications d'amplification et de commutation de petits signaux ...

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Central Semiconductor
transistor MOSFET
transistor MOSFET
700 V | TOPSwitch-HX

Tension: 110, 265 V

... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande ...

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Power Integrations
transistor IGBT
transistor IGBT

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IXYS
transistor IGBT
transistor IGBT
FG, ISL9 series

Tension: 250, 500 V
Courant: 10, 43 A

... FAIRCHILD présente sa nouvelle ligne d'allumage automobile avec IGBT. Il est spécialement conçu pour avoir la densité d'énergie de pince la plus élevée de tous les appareils sur le marché et une basse tension de saturation. Offre des ...

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Fairchild Semiconductor
module transistors de puissance
module transistors de puissance
AFM906N

Tension: 7,5 V

... 'étage de sortie Etage de sortie pour radio portable 700-800 MHz Circuit d'attaque générique de 6 W pour les transistors ISM et les transistors de l'étage final de radiodiffusion ...

transistor bipolaire
transistor bipolaire
BC337-25

Tension: 50 V
Courant: 0,8 A

... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...

transistor bipolaire
transistor bipolaire

Tension: 0,24 V - 3,5 V

module transistors IGBT
module transistors IGBT
SK 9 BGD 065 ET

... nouveaux designs BoîtierSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBBxHHH)55x31x12 InterrupteursSix Pack VCES en V600 ICnom en A6 TechnologyNPT IGBT (Ultra-rapide) ...

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SEMIKRON
module transistors de puissance
module transistors de puissance
HRC12

Tension: 8 V - 35 V

... Le module Bluetooth HRC12 est un module de transition pour la communication de données entre le mobile et le groupe électrogène. Il est connecté au contrôleur du groupe électrogène via RS485. L'APP du mobile permet d'obtenir des informations ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET

... Vishay est le premier fabricant mondial de MOSFET de faible puissance. La gamme de produits MOSFET de puissance Vishay Siliconix comprend des dispositifs dans plus de 30 types d'emballage, y compris les familles MICRO FOOT® et PowerPAK® ...

transistor bipolaire
transistor bipolaire
DMB series

Tension: 20, 50 V

... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...

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Diodes Incorporated
transistor FET
transistor FET

... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage ...

transistor RF
transistor RF
AT-32011

Tension: 2,7 V
Courant: 1 mA - 20 mA

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Broadcom
module transistors IGBT
module transistors IGBT

Tension: 1 200 V
Courant: 10, 25 A

... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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transistor

Le transistor est un composant électronique semi-conducteur à trois broches ; il est utilisé comme interrupteur commandé ou bien comme amplificateur de signal.

Applications

La technologie bipolaire est utilisée en électronique analogique et en électronique de puissance, en particulier comme amplificateur de courant et pour la régulation de tension.
Les transistors MOSFET sont appréciés pour leurs performances en commutation dans des applications de puissance et de haute tension, pour le contrôle de moteur et dans les alimentations à découpage.

Technologies

On distingue principalement le transistor bipolaire du transistor FET, ou transistor à effet de champ. Le premier est commandé en courant par la base tandis que le second se commande en tension par la grille.

Ils se différencient en particulier par la nature de la chute de tension apparaissant dans le circuit commuté. Le transistor bipolaire introduit une chute de tension minimale liée aux jonctions semi conductrices. Le FET quant à lui présente l’équivalant d’une résistance de passage très basse, quelques millièmes d’ohm.

Les transistors bipolaires se déclinent en types N et P selon l’orientation du courant de commande sur la base.
Le transistor FET à canal P à tension de commande grille source négative est évité car ses performances sont moindres que le FET à canal N.

Il existe d’autres types de transistors : transistors pour la RF ou la HF, transistors Darlington à très fort gain et transistors IGBT et JFET.

Critères de choix

Le gain, les courants admissibles et les tensions supportées, les limites en fréquences et le packaging sont des critères importants à prendre en compte dans le choix d’un transistor.