MOSFET pour applications automobiles SCT4018KTWHR

résistance haute tensionà grande vitesseSiC

Présentation Ce produit est un MOSFET SiC présenté dans un boîtier TSC3PAK. Grâce à une structure de dissipation thermique par le haut, qui place la surface de dissipation sur le dessus du boîtier, ce produit permet un montage automatisé tout en offrant des performances de dissipation thermique comparables à celles des boîtiers à trous traversants classiques. La structure à rainures exclusive de ROHM garantit une distance de fuite de 6,66 mm, ce qui permet de supporter une tension crête alternative de 1 200 V dans des environnements de degré de pollution 2. Ce dispositif offre une faible résistance à l’état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, ce qui réduit les pertes de commutation et améliore le rendement ainsi que la fiabilité dans les circuits de conversion de puissance destinés aux chargeurs embarqués (OBC), aux compresseurs électriques pour véhicules électriques (xEV), aux onduleurs photovoltaïques et aux alimentations de serveurs. Caractéristiques principales

• Conforme à la norme AEC-Q101 (grade automobile)
• Boîtier : TSC3PAK avec dissipation thermique par la face supérieure
• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance à l’état passant (RDS(on) typique : 18 mΩ)
• Vitesse de commutation élevée et récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle
• Simple à piloter
• Placage des broches sans plomb ; Conforme à la directive RoHS

Applications Chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques dans les véhicules xEV ; onduleurs photovoltaïques ; alimentations de serveurs haute performance et autres équipements de conversion de puissance haute tension. Informations sur la pièce Référence | SCT4018KTWHRTCR Statut | Recommandé Boîtier | TSC3PAK Type d'emballage | Sur bande Quantité unitaire | 600 Quantité minimale par lot | 600 RoHS | Oui MSL | 1 Caractéristiques techniques (sélectionnées) Tension drain-source [V] : 1 200 Résistance drain-source à l'état conducteur (typ.) [mΩ] : 18 Génération : 4e génération (Trench) Courant de drain [A] : 79 Dissipation de puissance totale [W] : 294 Température de jonction (max.) [°C] : 175 Température de stockage (min.) [°C] : -40 Température de stockage (max.) [°C] : 175 Dimensions du boîtier [mm] : 14,0 x 18,58 (t = 3,625) Norme applicable : AEC-Q101 (grade automobile) Caractéristiques (détaillées)

• Structure de dissipation thermique par la face supérieure dans un boîtier à montage en surface, offrant une dissipation thermique comparable à celle des boîtiers à montage traversant (par exemple, équivalents TO-247)
• Rainure de boîtier exclusive permettant une grande distance de fuite pour une conception d’isolation haute tension
• Technologie MOSFET SiC de 4e génération de ROHM : faible résistance à l’état passant et pertes de commutation réduites
• Conçu pour un montage automatisé tout en conservant des performances thermiques élevées

Caractéristiques / spécifications techniques

• Référence (page produit) : SCT4018KTWHRTCR (également référencé sous la référence SCT4018KTWHR)
• Type de dispositif : MOSFET au carbure de silicium (SiC)
• Boîtier : TSC3PAK (montage en surface, dissipation thermique par le dessus)
• VDSS (tension drain-source) : 1 200 V
• RDS(on) (typ.) : 18 mΩ
• Courant de drain nominal : 79 A
• Dissipation de puissance totale : 294 W
• Température maximale de jonction : 175 °C
• Température de stockage : de -40 °C à 175 °C
• Dimensions du boîtier : 14,0 x 18,58 mm (épaisseur 3,625 mm)
• Ligne de fuite : min. 6,66 mm (supporte une tension crête alternative de 1 200 V en degré de pollution 2)
• Génération / structure : 4e génération (Trench)
• Conformité / qualité : AEC-Q101 (grade automobile), conforme RoHS
• Conditionnement : sur ruban ; quantité par bobine : 600 ; quantité minimale par lot : 600