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Tension directe: 16 V - 95 V
Tension inverse: 15 V - 76 V
... Les suppresseurs de transitoires à courant élevé de la série SMTAK3 ont été spécialement conçus pour être utilisés dans la protection des lignes de courant continu et dans toute application exigeante. Ils offrent des caractéristiques ...
Littelfuse
Tension directe: 12 V
... décharges ESD répétitives de ±30kV (décharge de contact, IEC 61000-4-2) sans dégradation des performances. De plus, chaque diode peut dissiper en toute sécurité 7A de courant de surtension 8/20µs (IEC61000-4-5) avec des ...
Littelfuse
Tension directe: 9,2 V - 748,65 V
Tension inverse: 5 V - 440 V
... Caractéristiques : Sans halogène et conforme à la directive RoHS Pour les applications montées en surface afin d'optimiser l'espace sur le tableau Boîtier à profil bas Soulagement de traction intégré ...
Littelfuse
Tension inverse: 650 V
... 1. Applications - Correction du facteur de puissance - Onduleurs solaires - Alimentations sans interruption - Convertisseurs DC-DC 2. Caractéristiques (1) Conception de la puce de 2ème génération. (2) Capacité de courant de choc élevé ...
Toshiba America Electronics Components
... Les diodes barrière Schottky de la série RBxx8 de ROHM utilisent un métal spécial optimisé pour les environnements à haute température, ce qui donne les IR les plus bas de l'industrie. De plus, l'emballement thermique est évité même en ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 0,3 V - 1 V
Tension inverse: 20 V - 150 V
... Les diodes barrières ROHMs pour l'automobile sont à faible VF, à faible IR et à haute résistance aux décharges électrostatiques (correspond à AEC-Q101). Gamme de forfaits SOD-523 SOD-723 SOD-923 SOT-25 SOT-25T SOT-323 SOT-343 ...
ROHM Semiconductor
Tension directe: 0,37 V - 1 V
Tension inverse: 30 V - 150 V
... La gamme de diodes barrière Schottky de type petit signal ROHM (Io<0.5A) présente une résistance ESD et IFSM élevée avec une faible VF et une faible IR simultanément. Faible VF supérieur, caractéristiques IR basses. L'optimisation des ...
ROHM Semiconductor
... Que vous travailliez à une nouvelle conception, à la mise à niveau d'une conception existante ou à l'achat de votre nomenclature, Fairchild vous fournit des redresseurs à pont, des DIAC, des diodes Schottky et des redresseurs, des petites ...
Fairchild Semiconductor
Tension inverse: 40 V
... Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMLSH1-40 est un redresseur Schottky de 40 volts dans un boîtier peu encombrant Boîtier de montage en surface SOT-563. Cet appareil a été conçu pour des applications nécessitant un courant élevé ...
Central Semiconductor
Tension inverse: 180 V
... opposée, diodes de commutation au silicium, fabriquées par le procédé planaire épitaxial, époxy moulé dans un boîtier de montage en surface SOT-563. Ces dispositifs sont conçus pour des applications de commutation nécessitant ...
Central Semiconductor
Tension inverse: 200 V - 1 000 V
... La série de redresseurs à haute densité de courant CMMR1 à SEMICONDUCTEUR CENTRAL, dans un SOD-123F les boîtiers de montage en surface sont conçus pour tous les types d'ordinateurs commerciaux, industriels et automobiles les ...
Central Semiconductor
Diodes Incorporated
Tension directe: 30 V - 200 V
Tension inverse: 0,4 V - 0,9 V
... Voici un nouveau produit révolutionnaire. Les diodes de qualité automobile de ST sont en effet un produit unique en son genre. Il est conçu pour répondre à de nombreuses applications et concepts de conception. Le Diodes est conforme à ...
STMicroelectronics
Tension directe: 1,5 V - 3 V
Tension inverse: 360 V - 1 250 V
... Les diodes Renesas sont conçues et fabriquées de manière inventive pour supporter les performances optimales des appareils mobiles légers et plus petits. Ces diodes sont également appropriées pour l'alimentation de la stabilisation de ...
Tension directe: 5, 20, 12, 7 V
... Caractéristiques Mise en marche rapide Basse tension de serrage Tension de tenue aux décharges électrostatiques élevée Protection unidirectionnelle ou bidirectionnelle Petit emballage Epoxy ignifuge UL94 V-0 Applications Alimentation ...
Würth Elektronik eiSos
Tension directe: 1,8 V - 200 V
ON Semiconductor
Tension inverse: 20 V - 2 000 V
... miniaturisation, une nouvelle génération de diodes à puce de Bourns a vu le jour, qui offre la possibilité de fournir une diode en silicium avec un encombrement minimal. Les diodes Chip Diodes 0603, 1005 et 1206 à petit ...
Tension directe: 0,38 V - 0,95 V
Tension inverse: 20 V - 200 V
Frontier Electronics, Corp.
Broadcom
Tension directe: 21 V
Tension inverse: 10 kV
... Caractéristiques du produit 1. Faible fuite, résistance aux chocs et aux avalanches protection, etc. 2. Petite taille, facile à installer, adaptée à la production automatique. 3. Caractéristiques de commutation à grande vitesse, ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tension inverse: 200, 1 600 V
... Caractéristiques Jetons passivés en verre Capacité de surtension élevée Tension d'isolement jusqu'à 1600V Version cathode à goujon et anode à goujon Large gamme de courant Conforme à la directive RoHS Applications Chargeur de ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
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