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Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... canal P 60V en boîtier DPAK représentent la nouvelle technologie ciblée pour les applications de gestion de batterie, de commutation de charge et de protection contre l'inversion de polarité. Le principal avantage d'un ...
Infineon Technologies AG
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... à une performance de commutation douce et une zone d’opération sûre (ZOS) record. Les nouveaux modules IGBT 62Pak et LoPak à commutation rapide moyenne puissance offrent les pertes de ...
Courant: 5, 20, 30, 50 A
Tension: 600 V
... La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant ...
Courant: 100 mA
Tension: 60, 50 V
... Applications typiques Commandes numériques Commutation, Traitement des signaux Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101) Suffixe -AQ : dans la qualification AEC-Q101 x) Caractéristiques Réduction ...
Diotec
Courant: 0,12, 0,28, 0,2 mA
Tension: 60 V
... commerciale Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101*) Suffixe -AQ : en qualification AEC-Q101 *) Caractéristiques Temps de commutation rapides Conforme à RoHS, REACH, Conflict Minerals L) ...
Diotec
Courant: 100 mA
Tension: 50 V
... conforme à la norme AEC-Q101 x) Caractéristiques Commande de porte de niveau logique Faible capacité d'entrée Temps de commutation rapides Conforme à RoHS (sans exemption), REACH, Conflict Minerals l) ...
Diotec
Courant: 20 A
Tension: 650 V
... électrostatique jusqu'à 3,5 kV, ce qui se traduit par une plus grande fiabilité des applications. Les caractéristiques de commutation à grande vitesse des HEMT GaN contribuent également à une plus grande ...
ROHM Semiconductor
Tension: 60 V
... Transistor NPN en silicium épitaxié Applications Ce produit est d'usage général et convient à de nombreuses applications différentes. ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible ...
STMicroelectronics
Tension: 50 V
... DESCRIPTION : Le semi-conducteur central CMKT3920 (deux transistors NPN simples) est une double combinaison dans un espace sOT-363 ULTRAmini™, conçu pour les applications d'amplification et de commutation ...
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie ...
Diodes Incorporated
... Caractéristiques : - IGBT à porte en tranchée avec arrêt sur site - Résistance aux courts-circuits>10ps - - Faible tension de saturation - Faible perte de commutation - 100% testé RBSOA (2*lc) - ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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