MOSFET résistance haute tension SCT4036KTWHR

SiCen carbure de siliciumpour applications automobiles

Vue d'ensemble
Ce composant est un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK à montage en surface avec une structure de refroidissement par le dessus. Le boîtier dispose d'une surface d'évacuation thermique sur la face supérieure, offrant des performances de dissipation comparables aux boîtiers traversants de type TO-247 tout en permettant le montage automatisé en surface. Une structure de rainure propriétaire assure un chemin de fuite de 6,66 mm, prenant en charge une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Ce dispositif de 4ème génération (structure trench) combine un faible RDS(on) et une commutation rapide pour réduire les pertes de commutation et améliorer l'efficacité dans les circuits de conversion de puissance.

Informations sur la pièce

• Numéro de pièce : SCT4036KTWHRTCR
• Statut : Recommandé
• Boîtier : TSC3PAK
• Type d'emballage : Taping
• Quantité par bobine : 600
• Quantité minimale par emballage : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1

Caractéristiques

• Qualifié AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Large distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance d'état ON (RDS(on))
• Vitesse de commutation élevée
• Récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle
• Simple à piloter
• Revêtement de pattes sans plomb ; conforme RoHS

Boîtier / Thermique
TSC3PAK : dissipation thermique par le dessus avec structure de rainure assurant la distance de fuite (6,66 mm). Boîtier SMD offrant une dissipation comparable aux boîtiers traversants de type TO-247, permettant le montage automatisé et une réduction des coûts d'assemblage tout en maintenant une haute fiabilité.

Applications

• Systèmes automobiles : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques (PV)
• Alimentations serveurs haute performance et autres systèmes de conversion de puissance haute tension/haute efficacité

Caractéristiques techniques

• Modèle : SCT4036KTWHR
• Tension drain-source (V) : 1200
• Résistance drain-source en conduction (Typ.) (mΩ) : 36
• Génération : 4ème Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 41
• Dissipation de puissance totale (W) : 163
• Température jonction (Max.) (°C) : 175
• Température de stockage min. (°C) : -40
• Température de stockage max. (°C) : 175
• Dimensions du boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Norme : AEC-Q101 (Automotive Grade)
• Boîtier : TSC3PAK (refroidissement par le dessus)
• Type d'emballage : Taping
• Quantité par bobine : 600
• Quantité minimale par emballage : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1