MOSFET en carbure de silicium SCT4065DTWHR

pour applications automobilesrésistance haute tensionSiC

Présentation
Ce produit est un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK à montage en surface présentant une face de dissipation thermique sur la partie supérieure. La dissipation par le dessus permet l'assemblage automatisé tout en offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants conventionnels (par ex. TO-247-4L). La structure de rainure propriétaire de ROHM garantit une distance de fuite de 6,66 mm, supportant une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution 2. Le dispositif intègre la 4e génération de MOSFET SiC (Trench) de ROHM pour obtenir un faible RDS(on) et des commutations rapides, réduisant les pertes de commutation dans les circuits de conversion d'énergie.

Caractéristiques

• Qualifié AEC-Q101 (automotive grade)
• Large distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance drain-source en conduction (RDS(on) typ. 65 mΩ)
• Vitesse de commutation élevée et récupération inverse rapide
• Facilement parallélisable et simple à piloter
• Placage sans plomb des broches ; conforme RoHS

Boîtier / Thermique
Boîtier TSC3PAK à montage en surface avec dissipation thermique par le dessus, offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants tout en permettant l'assemblage automatisé. La structure de rainure ROHM assure la distance de fuite pour un dimensionnement d'isolation sûr en applications haute tension.

Exemples d'applications

• Automobile : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques
• Onduleurs photovoltaïques
• Alimentations serveurs haute performance et conversion d'énergie industrielle

Caractéristiques / spécifications techniques

• Référence : SCT4065DTWHRTCR
• Nom commercial : SCT4065DTWHR
• Statut : Recommandé
• Tension drain-source (V) : 750 V
• Résistance drain-source en conduction (Typ.) (mΩ) : 65 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 24 A
• Puissance dissipée totale (W) : 81 W
• Température jonction (Max.) (°C) : 175 °C
• Température de stockage (Min. / Max.) (°C) : -40 / 175
• Boîtier : TSC3PAK
• Dimensions boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Type d'emballage : Taping
• Quantité unité / minimum : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1
• Norme : AEC-Q101 (automotive grade)