MOSFET pour applications automobiles SCT4065DTWHR

SiCen carbure de siliciumà grande vitesse

Présentation
Le SCT4065DTWHR est un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK conçu pour la conversion d'énergie haute tension. Le boîtier intègre une structure de dissipation thermique par le dessus, plaçant la surface de refroidissement sur la face supérieure du boîtier, ce qui permet l'assemblage automatique tout en offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants. La structure de gorge propriétaire de ROHM garantit une distance de fuite de 6,66 mm, prenant en charge des valeurs de crête AC jusqu'à 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Le composant présente une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide pour réduire les pertes de commutation et améliorer l'efficacité et la fiabilité des convertisseurs.

Caractéristiques clés

• Qualifié AEC-Q101 (grade automobile)
• Large distance de fuite : min. 6,66 mm (supporte 1200 V AC pic en pollution degré 2)
• Faible résistance drain-source à l'état passant (RDS(on) typ. 65 mΩ)
• Commutation rapide et réduction des pertes de commutation
• Récupération inverse rapide
• Facile à mutualiser (parallélisation)
• Exigences de commande du gate simples
• Plaquage de broches sans plomb ; conforme RoHS

Boîtier et aspects mécaniques

• Boîtier TSC3PAK en montage superficiel avec dissipation par le dessus offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants tout en permettant l'assemblage automatisé
• Structure de gorge ROHM assurant la distance de fuite (6,66 mm) pour une conception d'isolation adaptée aux applications haute tension
• Dimensions du boîtier optimisées pour des performances thermiques élevées et une implantation CMS compacte (14,0 × 18,58 mm, ép. ≈ 3,625 mm)

Applications

• Systèmes automobiles : on-board chargers (OBC), compresseurs électriques
• Onduleurs photovoltaïques
• Alimentations hautes performances pour serveurs et télécoms

Spécifications techniques

• Part Number : SCT4065DTWHRTCR
• Modèle : SCT4065DTWHR
• Brand : ROHM
• Tension Drain-Source (Vds) : 750 V
• Résistance ON Drain-Source (Typ.) : 65 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant Drain (Id) : 24 A
• Puissance dissipable totale : 81 W
• Température jonction (Max.) : 175 °C
• Plage de température de stockage : -40 à 175 °C
• Boîtier : TSC3PAK (CMS avec surface de dissipation supérieure)
• Dimensions : 14,0 x 18,58 mm (ép. = 3,625 mm)
• Conditionnement : Taping
• Quantité par unité : 600 (quantité minimale : 600)
• RoHS : Yes
• MSL : 1