AperçuCe MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK en montage en surface présente une dissipation thermique par le dessus, offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants tout en permettant le montage SMD automatisé. La structure de rainure propriétaire de ROHM garantit une distance de fuite minimale de 6,66 mm, supportant un pic de tension alternatif de 1200 V en environnement Pollution Degree 2. Le dispositif présente une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide pour réduire les pertes de commutation dans la conversion d'énergie.
Contexte de développementAlors que le SiC se généralise dans les circuits de conversion d'énergie (par ex. chargeurs embarqués et compresseurs électriques) et les équipements industriels exigeant une haute efficacité, la demande porte sur des composants SiC SMD compatibles avec le montage automatisé et offrant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants. Le SCT4027KTWHR répond à ce besoin en combinant un TSC3PAK à refroidissement par le dessus et la technologie Trench 4e génération de ROHM.
Exemples d'application- Automobile : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques
- Onduleurs photovoltaïques
- Alimentations serveur et alimentations haute performance
Caractéristiques- Qualifié AEC-Q101 (grade automobile)
- Large distance de fuite : min. 6,66 mm (rainure ROHM)
- Faible Rds(on) (typ. 27 mΩ)
- Commutation rapide et récupération inverse rapide
- Facile à mettre en parallèle et pilotage simple
- Placage sans plomb ; conforme RoHS
Caractéristiques techniques- Référence : SCT4027KTWHRTCR
- Statut : Recommandé
- Boîtier : TSC3PAK (refroidissement par le dessus)
- Conditionnement : Taping; Quantité unitaire : 600
- Vds : 1200 V
- Rds(on) typ. : 27 mΩ
- Courant de drain : 54 A
- Puissance dissipable totale : 208 W
- Température jonction (max) : 175 °C
- Température stockage : -40 à 175 °C
- Dimensions boîtier : 14.0 × 18.58 mm (t = 3.625)
- Normes : AEC-Q101, RoHS ; MSL = 1