MOSFET en carbure de silicium SCT4018KTW

SiCpour applications automobilesrésistance haute tension

Présentation
Ce produit est un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK. Grâce à une structure de dissipation thermique par le dessus plaçant la surface d'évacuation de la chaleur sur la face supérieure du boîtier, le produit permet la pose automatisée tout en offrant des performances de dissipation comparables aux boîtiers traversants traditionnels. Le boîtier intègre la structure de rainure propriétaire de ROHM pour assurer une distance de fuite de 6,66 mm, permettant de supporter une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2 tout en restant compatible avec les produits couramment utilisés sur le marché. Le produit intègre le MOSFET SiC de 4e génération de ROHM, offrant une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation à haute vitesse, réduisant ainsi les pertes de commutation lors de la conversion d'énergie et contribuant à une plus grande efficacité et à une consommation réduite.

Boîtier / Approche technique
Boîtier TSC3PAK pour montage en surface avec dissipation thermique par le dessus ; structure de rainure garantissant une large distance de fuite (min. 6,66 mm) et permettant le support d'une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Conçu pour combiner des performances de dissipation comparables aux boîtiers traversants et les avantages de la pose automatisée.

Caractéristiques

• Large distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance RDS(on) (Typ. 18 mΩ)
• Vitesse de commutation élevée
• Récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle
• Simple à piloter
• Placage sans plomb ; conforme RoHS

Exemples d'applications

• Chargeurs embarqués et compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs PV
• Alimentations pour serveurs
• Équipements industriels nécessitant une conversion d'énergie à haute efficacité

Caractéristiques / Spécifications Techniques

• Référence : SCT4018KTWTCR
• Modèle : SCT4018KTW
• Tension drain-source (V) : 1200
• Résistance drain-source en conduction (Typ.) (mΩ) : 18
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (A) : 79
• Puissance dissipable totale (W) : 294
• Température jonction (Max.) (°C) : 175
• Température de stockage (Min./Max.) (°C) : -40 / 175
• Boîtier : TSC3PAK (dissipation par le dessus)
• Dimensions boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Type d'emballage : Taping
• Quantité unitaire : 600
• Quantité minimale : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1