PrésentationCe MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK pour montage en surface intègre une structure de dissipation thermique par le dessus ; la surface de dissipation se situe sur le haut du boîtier, permettant le montage automatisé tout en offrant une performance thermique comparable aux boîtiers traversants. La structure de rainure propriétaire de ROHM assure une distance de fuite de 6,66 mm, compatible avec une tension crête AC de 1200 V en environnement de degré de pollution 2. Le composant présente un faible Rds(on) et une commutation rapide pour réduire les pertes de commutation et améliorer l'efficacité dans les circuits de conversion d'énergie. Applications typiques : chargeurs embarqués et compresseurs électriques pour xEV, onduleurs photovoltaïques et alimentations serveur.
Informations pièce / Emballage- Référence : SCT4090KTWTCR
- Statut : Recommandé
- Boîtier : TSC3PAK (dissipation par le dessus)
- Type d'emballage : Taping
- Quantité unitaire : 600 / bobine
- Quantité minimale par emballage : 600
- RoHS : Oui
- MSL : 1
Caractéristiques- Large distance de fuite : min. 6,66 mm (structure rainurée ROHM)
- Faible résistance à l'état passant (Rds(on) typ. 90 mΩ)
- Commutation rapide, réduction des pertes de commutation
- Récupération inverse rapide
- Facile à mettre en parallèle
- Commande de grille simple
- Étain sans plomb; conforme RoHS
Spécifications techniques- Modèle : SCT4090KTWTCR
- Tension drain-source (Vdss) : 1200 V
- Résistance drain-source à l'état passant (Rds(on)) (Typ.) : 90 mΩ
- Génération : 4th Gen (Trench)
- Courant drain (Id) : 18 A
- Puissance dissipable totale (Pd) : 81 W
- Température jonction (Tj max) : 175 °C
- Température de stockage : -40 °C à 175 °C
- Dimensions du boîtier : 14,0 x 18,58 mm (ép. = 3,625 mm)
- Type de boîtier : SMD 9 broches (TSC3PAK) avec dissipation par le dessus
- Distance de fuite : 6,66 mm (supporte AC peak 1200 V en pollution degré 2)
Applications typiques- xEV : chargeurs embarqués, compresseurs électriques
- Onduleurs PV
- Alimentations pour serveurs et télécom