MOSFET résistance haute tension SCT4050KTW

à grande vitesseen carbure de siliciumSiC

Présentation du produit
Composant MOSFET en carbure de silicium (SiC) 1200 V, 31 A, modèle SCT4050KTW, en boîtier TSC3PAK CMS. Le boîtier adopte une architecture de refroidissement par la face supérieure permettant des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants tout en autorisant l'assemblage automatique en CMS. Une gorge propriétaire assure une grande distance de fuite (min. 6,66 mm), supportant une tension crête AC de 1200 V en environnement de pollution de degré 2. Le dispositif présente une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide pour réduire les pertes de commutation et améliorer l'efficacité de conversion d'énergie.

Boîtier et images
Boîtier : TSC3PAK (CMS, refroidissement par la face supérieure). Conçu pour placement automatique ; performances thermiques proches des boîtiers traversants tout en conservant un format CMS compact.

Caractéristiques

• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance drain-source à l'état passant (RDS(on) typ. 50 mΩ)
• Commutation rapide
• Récupération inverse rapide
• Facile à monter en parallèle pour augmenter le courant
• Exigences de pilotage simples
• Platinage sans Pb ; conforme RoHS

Exemples d'applications

• Chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques pour xEV
• Onduleurs PV (conversion d'énergie solaire)
• Alimentations de serveurs et équipements industriels à haute efficacité

Spécifications de la pièce (tableau récapitulatif)
Numéro de pièce | SCT4050KTWTCR
Statut | Recommandé
Boîtier | TSC3PAK
Type d'emballage | Bandes (Taping)
Quantité unité | 600
Quantité minimale par emballage | 600
RoHS | Oui
MSL | 1

Caractéristiques / Spécifications techniques

• Référence : SCT4050KTW
• Tension Drain-Source (VDS) : 1200 V
• Résistance d'état passant Drain-Source (Typ.) : 50 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant de drain (ID) : 31 A
• Puissance dissipable totale : 128 W
• Température jonction (Max.) : 175 °C
• Plage de température de stockage : -40 °C à 175 °C
• Dimensions du boîtier (mm) : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Type de boîtier : TSC3PAK (refroidissement par la face supérieure)