MOSFET SiC SCT4090KTWHR

en carbure de siliciumSiCen carbure de silicium

Aperçu
Le SCT4090KTWHR est un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK pour montage en surface, doté d'une dissipation thermique par le dessus. Le TSC3PAK offre une dissipation thermique comparable aux boîtiers traversants de type TO-247 tout en permettant l'assemblage automatique en montage en surface. La structure de rainure propriétaire de ROHM assure une distance de fuite minimale de 6,66 mm, prenant en charge un pic de tension AC de 1200 V en environnement de degré de pollution 2. Le dispositif présente une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide, réduisant les pertes de commutation et améliorant l'efficacité des circuits de conversion d'énergie. Applications typiques : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques pour xEV, onduleurs PV et alimentations serveur.

Caractéristiques principales

• Qualifié AEC-Q101 (niveau automobile)
• Large distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance à l'état passant (RDS(on) faible)
• Vitesse de commutation élevée
• Rapide récupération inverse
• Facile à mettre en parallèle
• Commande simple
• Étain sans plomb ; conforme RoHS

Boîtier et mécanique

• Boîtier : TSC3PAK (montage en surface avec dissipation thermique par le dessus)
• La dissipation par le dessus permet l'assemblage automatique avec une dissipation comparable aux boîtiers traversants de classe TO-247
• Structure de rainure assurant la distance de fuite (6,66 mm) pour supporter 1200 V AC pic en degré de pollution 2
• Dimensions du boîtier : 14,0 × 18,58 mm (épaisseur 3,625 mm)

Applications

• Systèmes automobiles : chargeurs embarqués (OBC), compresseurs électriques
• Circuits de conversion pour xEV visant à améliorer la vitesse de charge et l'autonomie
• Équipements industriels : onduleurs PV, alimentations serveur haute performance

Ressources de conception et informations d'accompagnement
Ressources disponibles pour la conception et la vérification : fiche technique produit, modèles SPICE/PLECS/PSIM, notes d'application (monitoring, circuits snubber, suppression d'oscillation en parallèle, recommandations d'entraînement de grille) et articles de conception/characterisation thermique spécifiques au TSC3PAK et aux MOSFET SiC 4e génération de ROHM.

Spécifications techniques

• Référence : SCT4090KTWHRTCR
• Statut : Recommandé
• Modèle : SCT4090KTWHR
• Tension drain-source (V) : 1200 V
• Résistance à l'état passant (Typ.) RDS(on) : 90 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant drain (ID) : 18 A
• Puissance dissipable totale : 81 W
• Température jonction (Max.) : 175 °C
• Plage de température de stockage : -40 à 175 °C
• Dimensions du boîtier : 14,0 × 18,58 mm (t = 3,625 mm)
• Type d'emballage : Taping
• Quantité unitaire : 600 (quantité minimale : 600)
• RoHS : Oui
• MSL : 1