1. Produits
  2. MOSFET
  3. ROHM Semiconductor

MOSFET en carbure de silicium SCT4036KTW
résistance haute tensionà grande vitesseSiC

MOSFET en carbure de silicium - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - résistance haute tension / à grande vitesse / SiC
MOSFET en carbure de silicium - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - résistance haute tension / à grande vitesse / SiC
MOSFET en carbure de silicium - SCT4036KTW - ROHM Semiconductor - résistance haute tension / à grande vitesse / SiC - image - 2
Ajouter à mes favoris
Ajouter au comparateur

Caractéristiques

Spécifications
en carbure de silicium, résistance haute tension, à grande vitesse, SiC
Matériau
en carbure de silicium, SiC, en semi-conducteur

Description

Aperçu
Ce MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK pour montage en surface offre une faible résistance ON et une commutation rapide pour la conversion d'énergie haute tension. Le boîtier utilise une structure de dissipation thermique par le dessus permettant le montage automatisé tout en atteignant une performance thermique comparable aux boîtiers traversants classiques (TO-247-4L). Une structure de rainure assure un chemin de fuite de 6,66 mm, permettant de supporter une tension de crête AC de 1200 V en environnement de degré de pollution 2.

Boîtier / Conception thermique
Boîtier TSC3PAK pour montage en surface avec dissipation par le dessus ; structure de rainure garantissant 6,66 mm de chemin de fuite ; dimensions du boîtier 14,00 × 18,58 × 3,50 mm ; performance thermique adaptée aux applications de forte puissance tout en permettant l'assemblage automatisé.

Applications
  • Chargeurs embarqués (OBC) et compresseurs électriques pour xEV
  • Onduleurs PV et convertisseurs pour énergies renouvelables
  • Alimentations pour serveurs et modules d'alimentation industriels

Caractéristiques
  • Large chemin de fuite : min. 6,66 mm
  • Faible résistance drain‑source en conduction (Typ. 36 mΩ)
  • Commutation rapide et réduction des pertes de commutation
  • Récupération inverse rapide
  • Parallélisation facile pour courant élevé
  • Commande de grille simple
  • Placage des pattes sans plomb ; conforme RoHS

Spécifications
  • Référence : SCT4036KTWTCR
  • Modèle : SCT4036KTW
  • Statut : Recommandé
  • Boîtier : TSC3PAK (14,00 × 18,58 × 3,50 mm)
  • Type de conditionnement : Taping
  • Quantité par unité : 600
  • Quantité minimale par emballage : 600
  • RoHS : Yes
  • MSL : 1
  • Tension drain‑source (V) : 1200
  • Résistance drain‑source en conduction (Typ.) (mΩ) : 36
  • Génération : 4th Gen (Trench)
  • Courant drain (A) : 41
  • Puissance dissipable totale (W) : 163
  • Température jonction (Max.) (°C) : 175
  • Température de stockage (Min./Max.) (°C) : -40 / 175
  • Dimensions boîtier (mm) : 14,0 × 18,58 (t = 3,625)

Remarque
Ce produit est de GRADE STANDARD et n'est pas recommandé pour des applications automobiles nécessitant une qualification automobile.

Catalogues

Aucun catalogue n’est disponible pour ce produit.

Voir tous les catalogues de ROHM Semiconductor

Salons

Rencontrez ce fournisseur au(x) salon(s) suivant(s)

electronica Munich 2026
electronica Munich 2026

10-13 nov. 2026 Munich (Allemagne) Hall C3 - Stand 520

  • Plus d'informations

    Autres produits ROHM Semiconductor

    Silicon-carbide (SiC) Power Devices

    * Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
    À propos de DirectIndustry
    DirectIndustry est une marketplace qui offre aux acteurs B2B une expérience complète, du sourcing produit à l’achat. DirectIndustry est une entité de VirtualExpo Group.