MOSFET en carbure de silicium SCT4026DTWHR

résistance haute tensionpour applications automobilesSiC

Présentation du produit
Ce composant est un MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK avec une structure de refroidissement par le dessus. En plaçant la surface d'évacuation thermique sur la face supérieure du boîtier, le TSC3PAK atteint des performances thermiques comparables aux boîtiers traversants traditionnels tout en restant adapté à l'assemblage en montage en surface. Une structure de rainure propriétaire assure une distance de fuite de 6,66 mm, supportant jusqu'à 1200 V crête AC en environnement de pollution de classe 2. La technologie SiC Trench de 4e génération offre un faible RDS(on) et des commutations rapides pour améliorer l'efficacité des circuits de conversion d'énergie.

Caractéristiques

• Conforme AEC-Q101 (grade automobile)
• Grande distance de fuite : min. 6,66 mm
• Faible résistance à l'état passant (RDS(on), typ. 26 mΩ)
• Caractéristiques de commutation rapides
• Récupération inverse rapide
• Facile à mettre en parallèle
• Simple à piloter
• Étain sans plomb sur les broches ; conforme RoHS

Boîtier / dissipation thermique / fiabilité
Le boîtier TSC3PAK avec refroidissement par le dessus permet l'assemblage en surface tout en fournissant une dissipation thermique comparable aux boîtiers traversants. La structure de rainure garantit une distance de fuite de 6,66 mm et prend en charge 1200 V crête AC en pollution de classe 2, ce qui permet une conception d'isolement plus sûre et une fiabilité accrue pour les applications haute tension.

Applications recommandées

• Chargeurs embarqués (OBC) pour véhicules xEV
• Compresseurs électriques (E-Comp) pour xEV
• Onduleurs photovoltaïques (PV)
• Alimentations serveurs / PSU de centres de données

Caractéristiques / Spécifications techniques

• Référence : SCT4026DTWHRTCR
• Statut : Recommandé
• Boîtier : TSC3PAK
• Conditionnement : Taping
• Unités par bobine : 600
• Quantité minimale de commande : 600
• RoHS : Oui
• MSL : 1
• Tension drain-source (V) : 750 V
• Résistance à l'état passant drain-source (Typ.) (mΩ) : 26 mΩ
• Génération : 4th Gen (Trench)
• Courant drain (A) : 54 A
• Puissance dissipable totale (W) : 163 W
• Température jonction (Max.) (°C) : 175 °C
• Température stockage (Min./Max.) (°C) : -40 / 175 °C
• Dimensions boîtier [mm] : 14.0 x 18.58 (t = 3.625)
• Distance de fuite : min. 6,66 mm (structure de rainure)
• Norme : AEC-Q101 (Automotive Grade)