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{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible perte d'énergie ...
Courant: 600 A
Tension: 1 200 V
... Les modules IGBT de Littelfuse offrent le rendement élevé et les vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisés pour les applications de contrôle de puissance, ...
Courant: 28 A
Tension: 650 V
... L'IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 à commutation dure en boîtier TO-220 à faible encombrement s'adresse aux applications commutant entre 10 kHz et 40 kHz pour offrir une densité de courant élevée, un rendement élevé, des cycles de mise sur le marché plus rapides, ...
Infineon Technologies AG
Courant: 15 A
Tension: 140 V
... Transistor bipolaire de puissance NPN Les MJ15001 et MJ15002 sont des transistors de puissance conçus pour les applications audio de forte puissance, les positionneurs de têtes de disques et autres applications ...
Onsemi
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
... Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT HiPak à haute ...
Courant: 24 A
Tension: 1 700 V
... Le dispositif utilise un collecteur diffus en technologie planaire adoptant la "structure haute tension améliorée" (EHVS1) mise au point pour les écrans CRT haute définition. La nouvelle série de produits HD présente une efficacité améliorée du silicium, ...
STMicroelectronics
Courant: 20 A
Tension: 650 V
... Perte de commutation réduite, permettant une commutation à grande vitesse (boîtier à 2 broches) Qualifié AEC-Q101 Temps de récupération plus court Possibilité de commutation à grande vitesse Dépendance réduite à la température ...
ROHM Semiconductor
SEMIKRON
... Prise de courant à haute intensité Haute température ℃ 5.pas de 45 mm Angle droit Faible dégazage Il s'agit d'une prise qui peut correspondre à un arrangement de carte PC avec des restrictions de hauteur en tournant l'appareil sur le côté. ● Prend en ...
JC CHERRY INC.
Tension: 60 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCV47 est un transistor Darlington NPN au silicium fabriqué par le procédé planaire épitaxial, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour des applications nécessitant un gain ...
Central Semiconductor
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble de montage ...
Diodes Incorporated
Courant: 25 mA
Tension: 20 V
... Tension collecteur-émetteur - Vceo 20 V Courant continu du collecteur - Ic - 25 mA Polarité - pol - NPN Dissipation de puissance - Ptot - 0,200 W Température de jonction - Tjmax - 150 °C Gain de courant DC - hfe - 85 - VcE - 10V - Ic - 7 mA Tension ...
Diotec
Courant: 150 A
Tension: 600 V
... Commutateurs - demi-pont. Les modules IGBT sont logés dans un boîtier industriel standard, ce qui facilite l'intégration de l'appareil dans l'équipement existant. Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ...
Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V
... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide et doux anti-parallèle ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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