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Tension: 600, 650 V
Courant: 4 A - 80 A
... Les produits ROHM sont réalisés à faible Vce(sat) et à faible perte de commutation grâce à la technologie ROHM des portes de tranchée et des plaquettes minces. ...
ROHM Semiconductor
Tension: 0 V - 120 V
Courant: 0 A - 5 A
... Disponible dans la variété d'emballages ayant la nature de petits signaux, minces et de grande puissance pour couvrir largement le marché. ...
ROHM Semiconductor
Tension: 12, 50, 60 V
Courant: 0,1, 0,5, 1 A
... Les transistors numériques sont inventés par Rohm d'abord sur le marché, qui est le transistor combinant une ou plusieurs résistances intégrées pour la commodité du circuit numérique. Ce segment de produits ...
ROHM Semiconductor
Tension: 13 V
Courant: 25 mA
... CARACTÉRISTIQUES - Alimentation DC-DC intégrée et isolée, alimentation unique topologie d'alimentation unique - Tension d'isolation élevée de 3750VAC - Fréquence du signal d'entrée jusqu'à 20kHz - Circuit de défaut intégré avec une broche ...
Tension: 650 V
Courant: 38 A
... Le 650 V, 28 A hard-switching TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT S5 dans un boîtier TO-220 de faible encombrement s'adresse aux applications passant de 10 kHz à 40 kHz pour fournir une haute densité de courant, une haute efficacité, ...
Infineon Technologies - Sensors
Tension: 4 500, 5 200 V
Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A
... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme ...
Tension: 20 V
Courant: 100, 82 A
... large gamme de transistors bipolaires adaptés à diverses applications, telles que les appareils RF (radiofréquence) et les blocs d'alimentation. Un transistor de déclenchement renforcé ...
Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V
... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à plaquette mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs présentent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une ...
Tension: 1 200 V
Courant: 600 A
... Les modules IGBT Littelfuse offrent une grande efficacité et des vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisé pour les applications de contrôle ...
... nouveaux designs BoîtierSEMITOP 3 (55x31x12) (LLxBBBxHHH)55x31x12 InterrupteursSix Pack VCES en V600 ICnom en A6 TechnologyNPT IGBT (Ultra-rapide) ...
SEMIKRON
Tension: 1 200 V
Courant: 10, 25 A
... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tension: 1 200 V
Courant: 40 A
... Court-circuit nominal>10jjs -Basse tension de saturation : Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A, Tc=25'C -Faible perte de commutation -100 % testé RBSOA (2*lc>>) -Inductance faible de l'égouttage -Sans plomb, conforme aux exigences en matière ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tension: 1 350 V
Courant: 25 A
... Les tranchées d'arrêt sur site IGBT Rongtech offrent de faibles pertes de commutation, un rendement énergétique élevé et une grande robustesse aux avalanches pour les applications de commutation douce telles que le chauffage ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tension: 1 700 V
Courant: 24 A
... Transistor de puissance NPN haute tension pour écrans CRT haute définition et nouveaux écrans super minces Le dispositif utilise un collecteur diffus en technologie planaire adoptant la "structure haute tension améliorée" ...
STMicroelectronics
Tension: 250, 500 V
Courant: 10, 43 A
... FAIRCHILD présente sa nouvelle ligne d'allumage automobile avec IGBT. Il est spécialement conçu pour avoir la densité d'énergie de pince la plus élevée de tous les appareils sur le marché et une basse tension de saturation. Offre des ...
Fairchild Semiconductor
Tension: 60 V
... DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL BCV47 est un transistor Darlington NPN au silicium fabriqué par le procédé planaire épitaxial, moulé à l'époxy dans un boîtier de montage en surface, conçu pour des applications ...
Central Semiconductor
Tension: 50 V
Courant: 0,8 A
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble ...
Diodes Incorporated
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