Diode laser pulsée PVGS2S06H

nanosecondeà impulsion courteà état solide

Présentation
Le PVGS2S06H est une diode laser pulsée 1550 nm en boîtier métallique, intégrant une puce simple cavité à double empilement avec une largeur de stripe de 150 µm. Proposée en plusieurs options de boîtier (dont TO‑52), elle est conçue pour des performances en puissances de crête pulsed élevées.

Technologie et performances
Le dispositif est une hétérostructure double croissante par MOCVD, centrée à 1550 nm pour tirer parti des niveaux d'émission admissibles plus élevés et de l'exploitation en sécurité oculaire. Une exploitation en Classe 1 peut être atteignable selon l'intégration et la configuration. L'architecture est optimisée pour l'opération en impulsions à haute puissance de crête.

Caractéristiques principales

• Boîtier métallique (options TO‑52)
• Puce simple cavité, double empilement
• Largeur de stripe : 150 µm
• Conçue pour des impulsions courtes à haute puissance de crête

Applications / Remarques
Disponible en différents boîtiers pour répondre aux exigences d'intégration système. Les configurations empilées permettent de monter la puissance de crête pour des applications telles que télémétrie, LIDAR, communications optiques en espace libre et systèmes de test/mesure nécessitant des impulsions courtes et intenses.

Caractéristiques techniques

• Longueur d'onde centrale : 1550 nm
• Architecture de puce : simple cavité, double empilement
• Largeur de stripe : 150 µm
• Exemple mesuré : 24 W à 20 A avec une impulsion de 150 ns
• Puissance de crête pulsée élevée : jusqu'à 50 W
• Puissances de crête standards proposées dans la famille PVG : 7 W, 14 W et 58 W (valeurs de la famille produit)
• Structure : puits quantiques
• Fabrication : hétérostructure double croissante par MOCVD