Diode laser pulsée TPG3AU1S1.5
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Diode laser pulsée - TPG3AU1S1.5 - Excelitas Technologies - PCO - à état solide / infrarouge / proche infrarouge
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Caractéristiques

Mode de fonctionnement
pulsée
Technologie
à état solide
Spectre
infrarouge, NIR, proche infrarouge
Applications
pour mesure de distance, LIDAR
Autres caractéristiques
à semi-conducteur, à diode
Puissance

Min: 16 W

Max: 16 W

Longueur d'onde

905 nm

Description

Présentation du produit
Le Excelitas TPG3AU1S1.5 est une diode laser pulsée compacte et efficace de 905 nm, à émission latérale, optimisée pour le Time‑of‑Flight (ToF), le LiDAR et la détection 3D. Elle fournit 16 W de puissance optique crête à 6 A avec une tension directe d'environ 9,3 V et présente une surface d'émission de 40 × 10 µm permettant une forte collimation du faisceau et une détection haute résolution. Conditionnée en boîtier TO‑56 hermétique, elle est conçue pour des performances fiables en environnements industriels et systèmes grand public avancés.

Points clés
  • Longueur d'onde : 905 nm, diode laser pulsée
  • Puissance optique crête : 16 W à 6 A
  • Tension directe : ≈9,3 V (parfois indiquée 9 V)
  • Surface/largeur d'émission : 40 × 10 µm / largeur d'émission 40 µm
  • Pente de puissance : 3 W/A
  • Boîtier TO‑56 hermétique pour une étanchéité renforcée
  • Conçue pour une forte collimation du faisceau et une détection haute résolution


Caractéristiques
  • Optimisée pour systèmes LiDAR et ToF précis à courte et moyenne portée
  • Permet des architectures de driver compactes avec empreinte thermique réduite
  • Conception orientée fiabilité pour environnements industriels et applications grand public


Applications
  • Mesure Time‑of‑Flight (ToF) et systèmes LiDAR
  • Détection 3D pour logistique, entreposage et automatisation
  • Cartographie, drones et acquisition géospatiale
  • Systèmes ToF grand public, y compris AR/VR
  • Éclairage infrarouge nocturne et surveillance
  • Applications analytiques et certaines applications médicales/therapies nécessitant une source pulsée 905 nm


Caractéristiques / spécifications techniques
  • Modèle : TPG3AU1S1.5
  • Type : diode laser semi‑conductrice pulsée 905 nm, triple cavité, émission latérale
  • Puissance crête : 16 W à 6 A
  • Tension directe : environ 9,3 V (parfois référencée 9 V)
  • Pente de puissance : 3 W/A
  • Surface / largeur d'émission : 40 × 10 µm (largeur d'émission 40 µm)
  • Boîtier : TO‑56 hermétique
  • Performance visée : détection précise courte à moyenne portée avec collimation serrée et faible consommation
  • Fiabilité : conçue pour une haute fiabilité en environnements exigeants

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