Diode laser pulsée TPG3AU1S03
à état solideinfrarougeproche infrarouge

Diode laser pulsée - TPG3AU1S03 - Excelitas Technologies - PCO - à état solide / infrarouge / proche infrarouge
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Caractéristiques

Mode de fonctionnement
pulsée
Technologie
à état solide
Spectre
infrarouge, NIR, proche infrarouge
Applications
industrielle, d'instrumentation, pour mesure de distance, LIDAR
Autres caractéristiques
à diode
Puissance

38 W

Longueur d'onde

905 nm

Description

Présentation du produit
Le Excelitas TPG3AU1S03 est une diode laser pulsée à émission latérale de 905 nm, dotée d'une architecture à triple cavité et d'une ouverture d'émission de 75 × 10 µm (largeur d'émission 75 µm). Elle fournit une puissance crête de 38 W à 13 A avec une tension directe de 11 V, dans un boîtier compact TO-56. La grande ouverture d'émission facilite la gestion thermique et le façonnage du faisceau pour des systèmes ToF et LiDAR de portée moyenne à longue. Positionné entre des variantes basse puissance (16 W) et très haute puissance (120 W), ce modèle répond aux besoins de systèmes nécessitant une portée étendue et des signaux de retour plus forts en environnements industriels.

Caractéristiques
  • Conçu pour des systèmes LiDAR et ToF précis à courte et moyenne portée
  • Performance et efficacité équilibrées pour l'intégration système
  • Boîtier compact TO-56 à émission latérale facilitant le montage

Applications
  • Automatisation industrielle et robotique
  • Capteurs 3D pour la logistique et les entrepôts
  • Cartographie, drones et acquisition de données géospatiales
  • Systèmes ToF grand public (AR/VR)
  • Éclairage infrarouge nocturne
  • Thérapie laser
  • Applications analytiques

Documentation (disponible)
  • TPG3AU1S03 Datasheet (PDF)
  • TPG3AU1S03 CAD Stepfile (ZIP)
  • TPG3AU1S03 ZEMAX Rayfiles (ZIP)

Spécifications techniques
  • Longueur d'onde : 905 nm (diode laser pulsée)
  • Puissance crête : 38 W à 13 A
  • Tension directe : 11 V (conditions d'exploitation spécifiées)
  • Pente de puissance : 3 W/A
  • Ouverture / largeur d'émission : 75 × 10 µm (largeur d'émission 75 µm)
  • Boîtier : diode laser à émission latérale TO-56
  • Conception haute fiabilité adaptée à la détection moyenne à longue portée
  • Cas d'usage ciblés : LiDAR, ToF, détection industrielle, éclairage infrarouge

Catalogues

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10-13 nov. 2026 Munich (Allemagne) Hall B4 - Stand 302

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