Diode laser pulsée PVGR1S06H

à état solideinfrarougeproche infrarouge

Présentation du produit
Le PVGR1S06H est une diode laser pulsée 1550 nm en boîtier métallique, composée d'un chip single-stack à cavité unique avec une largeur de bande de 150 µm. Il fournit 7 W testés à 20 A avec une impulsion de 150 ns et est proposé en d'autres variantes de boîtier.

Détails
Des diodes laser à double hétérostructure, cultivées par MOCVD, à 1550 nm sont proposées aux puissances crêtes standard de 7 W, 14 W et 58 W. La longueur d'onde est centrée à 1550 nm afin de tirer parti des niveaux d'émission maximum autorisés plus élevés à cette longueur d'onde pour une exploitation sûre pour l'œil selon les réglementations applicables (par ex. FDA). Une exploitation en classe 1 peut donc être réalisable à des puissances de sortie relativement élevées.

Caractéristiques

• Longueur d'onde centrale : 1550 nm
• Possibilité d'empiler les dispositifs pour augmenter la puissance de sortie
• Structure à puits quantiques
• Puissance crête impulsionnelle élevée : jusqu'à 50 W

Caractéristiques techniques

• Modèle : PVGR1S06H
• Boîtier : boîtier métallique, 9 mm CD
• Type de dispositif : single stack, puce à cavité unique
• Largeur de bande : 150 µm
• Performance testée : 7 W en sortie à 20 A avec une impulsion de 150 ns
• Puissances crêtes standard proposées : 7 W, 14 W, 58 W
• Longueur d'onde centrale : 1550 nm
• Croissance/structure : double hétérostructure cultivée par MOCVD avec structure à puits quantiques
• Capacité de puissance crête impulsionnelle : jusqu'à 50 W
• Note de conception : optimisé pour fonctionner à 1550 nm afin de profiter de niveaux d'émission autorisés accrus pour une exploitation sûre pour l'œil (classe 1 possible)