Diode laser pulsée PVGR4S12H

nanosecondeà état solideproche infrarouge

Présentation du produit
Le PVGR4S12H est une diode laser pulsée en boîtier métallique conçue pour une opération à 1550 nm. Elle intègre une puce mono‑cavité quad‑stack avec une largeur de stripe de 300 µm (12 mil) et est fournie en boîtier métallique 9 mm CD. Le module fournit une puissance crête en impulsion élevée, avec une puissance crête testée de 58 W @ 40 A pour une impulsion de 150 ns.

Technologie et performances
Conception à puits quantiques et hétérostructure double, croissante par MOCVD, optimisée pour une longueur d'onde centrale de 1550 nm. Ce choix de longueur d'onde permet d'exploiter des niveaux d'émission admissibles plus élevés pour une exploitation « eye‑safe » (favorisant une possible classification Classe 1 selon les limites FDA/applicables). Différentes variantes de puissance crête sont proposées pour s'adapter aux besoins systèmes.

Caractéristiques

• Diode laser pulsée en boîtier métallique pour applications industrielles
• Architecture de puce mono‑cavité, quad‑stack
• Largeur de stripe : 300 µm (12 mil)
• Disponible en plusieurs options de boîtier, y compris boîtier métallique 9 mm CD

Documentation
Fiche technique disponible contenant les spécifications électriques, optiques et mécaniques, les conditions de test et les recommandations de manutention.

Spécifications techniques

• Longueur d'onde centrale : 1550 nm
• Architecture de la puce : mono‑cavité, quad‑stack
• Largeur de stripe : 300 µm (12 mil)
• Puissance crête testée : 58 W @ 40 A avec impulsion de 150 ns
• Variantes de puissance crête disponibles : 7 W, 14 W, 58 W
• Capacité de puissance crête en impulsion : jusqu'à 58 W (selon modèle)
• Structure active : puits quantiques
• Méthode de croissance : MOCVD double hétérostructure
• Conditionnement : boîtier métallique (ex. : 9 mm CD)