Diode laser pulsée PVGS1S06H

nanosecondeproche infrarougeNIR

Description Le PVGS1S06H est une diode laser pulsée 1550 nm en boîtier métallique, constituée d'une puce empilée monocavité avec une largeur de bande (stripe) de 150 µm. Elle fournit 7 W à 20 A lors d'un essai avec une impulsion de 150 ns et est disponible dans divers boîtiers, dont le TO-52.

Informations complémentaires Il s'agit de diodes laser à double hétérostructure croissées par MOCVD, centrées sur 1550 nm, proposées en valeurs crêtes standard de 7 W, 14 W et 58 W. La longueur d'onde centrée à 1550 nm permet d'exploiter des niveaux d'émission autorisés plus élevés pour une exploitation sûre pour l'œil selon les exigences de la FDA ; une opération en classe 1 peut donc être envisageable à des puissances crêtes relativement élevées. Des dispositifs empilés sont disponibles pour augmenter la puissance de sortie.

Caractéristiques

• Boîtier métallique
• Puce empilée monocavité
• Largeur de bande (stripe) de 150 µm
• 7 W à 20 A testé avec une impulsion de 150 ns
• Disponible dans divers boîtiers (y compris TO-52)

Spécifications techniques

• Longueur d'onde centrale : 1550 nm
• Possibilité de dispositifs empilés pour augmenter la puissance
• Structure à puits quantiques (double hétérostructure)
• Puissance crête en mode pulsé : jusqu'à 50 W
• Puissances crêtes standard proposées : 7 W, 14 W, 58 W