Système MBE MBE DXLMBE-450

Le DXLMBE-450 est un système d'épitaxie par jet moléculaire laser (MBE) à l'échelle de laboratoire, destiné au développement et à la préparation en petites séries de matériaux en couches minces complexes (cristaux optiques, matériaux ferroélectriques, ferromagnétiques, supraconducteurs et films d'organes). Il permet la croissance de structures multicouches et de super-réseaux contenant des composants multi-éléments, à point de fusion élevé ou contenant des gaz, avec contrôle précis des compositions et des procédés.

Composition

• Cuve à vide principale (chambre d'épitaxie et chambre d'injection d'échantillon)
• Mécanisme d'injection et système de transfert des échantillons
• Support d'échantillon avec assemblage de chauffage et rotation du substrat
• Plateau cible rotatif (multi-cibles, changement de cible par rotation)
• Systèmes d'évacuation et de mesure du vide
• Équipements électriques, distribution et contrôle informatique

Applications / Résumé
Conçu pour la recherche scientifique et la préparation en petites séries dans les universités et laboratoires de recherche, le DXLMBE-450 convient à la croissance de films multicouches complexes et de super-réseaux nécessitant des sources multi-éléments, à point de fusion élevé ou contenant des gaz, et un contrôle fin des procédés.

Caractéristiques techniques

• Modèle : DXLMBE-450
• Cuve principale : sphérique, Ø450 mm
• Chambre d'injection d'échantillon : cylindrique, horizontale, Ø150 × 300 mm
• Configuration du système de vide : Cuve principale — pompe mécanique, pompe moléculaire, pompe ionique, pompe de sublimation, vannes ; Chambre d'injection — pompe mécanique, pompe moléculaire, vanne
• Pression ultime : Cuve principale ≤ 5 × 10⁻⁸ Pa (après cuisson et dégazage) ; Chambre d'injection ≤ 5 × 10⁻³ Pa (après cuisson et dégazage)
• Temps de récupération du vide (jusqu'à 5 × 10⁻³ Pa) : Cuve principale et chambre d'injection — ≈20 min après exposition brève à l'air (purge sèche avant l'extraction)
• Plateau cible rotatif : taille maximale cible Ø70 mm ; jusqu'à 4 cibles ; rotation et révolution individuelles ; vitesse 5–60 rpm
• Plaque chauffante substrat : diamètre échantillon Ø51 mm ; rotation continue 5–60 rpm ; température maximale substrat 800 °C ± 1 °C
• Circuit gaz : contrôleur de débit massique 1 canal ; vanne angulaire tout métal 1 canal
• Options : système RHEED (max 25 kV, max 100 μA) avec surveillance des oscillations d'intensité/taux de croissance (caméra, matériel et logiciel)
• Balayage du faisceau laser : plateau de balayage mécanique 2D
• Générateur de plasma d'oxygène et alimentation : en option
• Contrôle informatique : automatisation de la révolution et rotation des cibles, rotation des échantillons, contrôle de température, balayage laser et fonctions associées
• Spectromètre de masse quadrupolaire : gamme de masse 1–100
• Surface au sol : unité principale 1300 × 850 mm² ; armoire électrique 700 × 700 mm² (2 unités)