Rechargement laser pour l'industrie de la microélectronique DXP-450B

Présentation

Le DXP-450B est un équipement de dépôt laser conçu pour la préparation de films minces supraconducteurs, films semi-conducteurs, films ferroélectriques et matériaux minces similaires. Il s'adresse à la recherche sur films minces et à la préparation en petites séries dans les universités, instituts de recherche et laboratoires R&D.

Composition

• Chambre à vide pour pulvérisation (sphérique)
• Plateau cible rotatif (multi-cible)
• Platine chauffante pour substrat, anti-oxydation
• Circuit de gaz de travail et système de purge/ébullition
• Dispositif d'installation/montage
• Système de mesure et de surveillance du vide
• Armoire de commande électrique et électronique de contrôle
• Composants auxiliaires et interfaces

Données techniques

• Modèle : DXP-450B
• Chambre principale : sphérique, Ø450 mm
• Configuration du système de vide : pompe mécanique + pompe moléculaire
• Pression ultime : ≤ 6,67×10⁻⁶ Pa (après cuisson et dégazage)
• Récupération du vide : atteint 5×10⁻³ Pa en ~20 min (après courte exposition à l'air, purge sèche et pompage)
• Plateau cible rotatif : cibles Ø60 mm ou Ø25 mm ; jusqu'à 4 cibles montées ; contrôle indépendant de révolution et rotation ; vitesse 5–60 rpm
• Platine substrat — taille d'échantillon : 2 pouces
• Platine substrat — mode de mouvement : rotation continue de l'échantillon ; vitesse 5–60 rpm
• Chauffage substrat : température max 800℃ ±1℃
• Contrôle des gaz : contrôleur de débit massique 1 canal
• Balayage du faisceau laser : table mécanique de balayage 2D (balayage libre sur deux axes)
• Contrôle informatique : contrôle intégré du plateau cible, rotation des cibles, rotation de l'échantillon, température et balayage laser
• Empreinte au sol — unité principale : 1500 × 900 mm²
• Empreinte au sol — armoire électrique : 700 × 700 mm² (1 jeu)

Caractéristiques principales

• Géométrie de la chambre : sphérique Ø450 mm
• Pompes : mécanique + pompe moléculaire
• Vide ultime : ≤ 6,67×10⁻⁶ Pa (post cuisson/dégazage)
• Récupération à 5×10⁻³ Pa : ~20 min (procédure standard)
• Options cibles : Ø60 mm ou Ø25 mm, jusqu'à 4 cibles, 5–60 rpm
• Manipulation des échantillons : échantillons 2 pouces, rotation continue 5–60 rpm
• Contrôle température substrat : jusqu'à 800℃ ±1℃
• Alimentation gaz : contrôle massique mono-canal
• Balayage laser : table de balayage mécanique 2D
• Contrôle système : contrôle intégré sur PC
• Empreinte : unité principale 1500×900 mm² ; armoire 700×700 mm²

Applications typiques

• R&D de films supraconducteurs, semi-conducteurs et ferroélectriques
• Préparation d'échantillons en petites séries et fabrications de prototypes
• Études de matériaux nécessitant chauffage précis et contrôle des atmosphères gaz/vide
• Dépôt de films et expérimentations de revêtement assisté par laser à l'échelle laboratoire