Machine de dépôt par pulvérisation cathodique à magnétron DXJ-450D

de métallisation

Le système de pulvérisation magnétron monocorps DXJ-450D est conçu pour la recherche et la production en petites séries de matériaux de couches minces avancés à l’échelle nanométrique, mono- ou multicouches, incluant films durs, métalliques, semi-conducteurs et diélectriques, adapté aux universités et instituts de recherche.

Composition

• Le système se compose principalement d'une chambre à vide de pulvérisation, de cibles de pulvérisation magnétron, d'une platine chauffante substrat à refroidissement par eau, du circuit de gaz de travail, du système de pompage, de la mesure du vide, du système de contrôle électronique et de l'armoire d'installation.

Indice technique

• Modèle : DXJ-450D
• Taille de la chambre à vide : chambre cylindrique Ø450 × 350 mm
• Configuration du système de vide : pompe moléculaire composée, pompe mécanique, vanne à glissière
• Pression ultime : ≤ 6.67×10⁻⁵ Pa (après cuisson et dégazage)
• Temps de récupération du vide : atteint 6.6×10⁻⁴ Pa en 40 min (après courte exposition à l'air et purge au chlore sec avant mise sous vide)
• Composants des cibles magnétron permanentes : trois cibles permanentes, diamètre Ø60 mm (une peut pulvériser un matériau magnétique) ; compatibles RF et DC ; les trois cibles peuvent se déporter au-dessus du centre de l'échantillon ; distance cible‑échantillon réglable 90–110 mm (pulvérisation vers le haut 40–80 mm)
• Système de substrat : platine chauffante unique refroidie par eau avec chauffage et refroidissement indépendants ; four de chauffage amovible pour installer la platine refroidie par eau
• Taille d'échantillon : Ø30 mm
• Mode de mouvement : le substrat peut tourner en continu ; vitesse de rotation 5–10 rpm
• Chauffage : température maximale du substrat 600°C ±1°C
• Polarisation négative du substrat : -200 V
• Système de circuit gaz : contrôleurs de débit massique, 2 canaux
• Système de contrôle informatique : contrôle de la rotation, commutation des obturateurs, confirmation de la position des cibles, etc.
• Accessoires en option : plateau rotatif 6 positions (remplace la platine chauffante/refroidie amovible ; supporte six substrats Ø30 mm ; une position pour four de chauffage ; autres pour refroidissement par eau ou naturel ; temp. max substrat 600°C ±1°C)
• Surface au sol — unité principale : 1300 × 800 mm²
• Surface au sol — armoire de contrôle électrique : 700 × 700 mm² (2 ensembles)

Caractéristiques techniques

• Utilisation prévue : préparation de films fonctionnels mono-/multicouches à l’échelle nanométrique (dur, métal, semi-conducteur, diélectrique)
• Désignation du modèle : DXJ-450D
• Dimensions externes de la chambre : Ø450 × 350 mm
• Vide ultime : ≤ 6.67×10⁻⁵ Pa (post-cuisson)
• Pompage standard : pompe moléculaire composée + pompe mécanique avec vanne à glissière
• Cibles : trois cibles magnétron permanentes Ø60 mm, compatibles RF et DC
• Manipulation du substrat : platine chauffante amovible refroidie par eau ; échantillon Ø30 mm ; rotation 5–10 rpm ; chauffage jusqu’à 600°C ±1°C ; polarisation négative -200 V
• Contrôle des gaz : contrôleurs de débit massique 2 canaux
• Contrôle : commande informatisée pour rotation, commutation des obturateurs et positionnement des cibles
• Empreinte au sol : unité principale 1300 × 800 mm² ; armoires de contrôle 700 × 700 mm² (deux ensembles)