Machine de dépôt par pulvérisation cathodique à magnétron DXJ-560S

de métallisation

Présentation

Le système de pulvérisation magnétron à double chambre pyriforme DXJ-560S est une plate‑forme compacte destinée à la R&D et à la préparation en petits lots de films minces : monocouches et multicouches fonctionnelles à l’échelle nanométrique, films durs, films métalliques, semi‑conducteurs et diélectriques. Le système intègre une chambre principale pyriforme, plusieurs cibles magnétron, un porte‑substrat rotatif refroidi par eau, une chambre d’injection d’échantillons, un four de recuit et des sous‑ensembles complets de vide, gaz et commande électronique.

Composition

• Chambre principale de pulvérisation pyriforme
• Cibles de pulvérisation magnétron permanentes (5 cibles, Ø60 mm)
• Porte‑substrat rotatif refroidi par eau (plateau tournant), 6 stations
• Chambre d’injection d’échantillons et modules de chambre d’échantillons
• Four de recuit intégré
• Module de cible de rinçage arrière (backwash)
• Dispositif magnétique de transfert d’échantillons
• Circuit gaz de travail avec contrôleurs de débit massique
• Système de pompage (pompes moléculaires et mécaniques)
• Armoire(s) d’installation/contrôle
• Système de mesure de vide et commande électronique avec interface ordinateur

Caractéristiques techniques

• Modèle : DXJ-560S
• Chambre principale : Chambre pyriforme Ø560 × 350 mm
• Chambre d’injection : Cylindrique, horizontale, Ø250 × 420 mm
• Configuration du vide : Unités pompe moléculaire et pompe mécanique indépendantes pour la chambre principale et la chambre d’échantillons
• Pression ultime (après cuisson et dégazage) : Chambre principale 6.67×10^-6 Pa ; Chambre d’injection ≤6.67×10^-4 Pa
• Temps de récupération du vide (après courte exposition à l’air et purge sèche) : Chambre principale à 6.6×10^-4 Pa en ~40 min ; Chambre d’injection à 6.6×10^-3 Pa en ~40 min
• Cibles magnétron : 5 cibles permanentes Ø60 mm (une cible adaptée aux matériaux magnétiques) ; compatible RF et courant continu ; distance cible‑substrat réglable 40–80 mm
• Porte‑substrat : 6 stations (une station pour le module de chauffage), accepte des substrats Ø30 mm jusqu’à 6 pièces
• Mouvement : Rotation avant/arrière 0–360°
• Chauffage du substrat (porte) : Max 600 ℃ ±1 ℃
• Biais négatif du substrat : −200 V
• Circuit gaz : Contrôleurs de débit massique, 2 voies
• Modules de chambre échantillon : Chargement d’échantillons (6 échantillons par charge), four de recuit (température max substrat 800 ℃ ±1 ℃), module backwash
• Transfert magnétique : Permet le transfert entre chambre de pulvérisation et chambre d’échantillons
• Contrôle par ordinateur : Contrôle de la rotation, des volets et de la position des cibles
• Surface requise : Unité principale 2600 × 900 mm²
• Armoires électriques : 700 × 700 mm² (2 unités)

Applications

• R&D en laboratoires pour films minces et revêtements multicouches
• Prototypage et production en petits lots de revêtements optiques, électroniques, semi‑conducteurs et protecteurs
• Dépôt de films durs, films métalliques, couches diélectriques et films magnétiques

Options et services

• Modes RF/DC et configurations de cibles personnalisables
• Adaptation à d’autres dimensions de substrats ou dispositifs de fixation sur demande
• Mises à niveau optionnelles pour pompes, vide et circuits gaz
• Installation, mise en service et formation des opérateurs disponibles

Contrôle et implantation

• Contrôle informatisé intégré pour reproductibilité des procédés
• Suivi du vide, des débits gaz et de la température des substrats
• Empreinte compacte adaptée aux laboratoires ; unité principale 2600 × 900 mm²