Machine de croissance cristalline

Le four de croissance de cristaux de carbure de silicium est un système à chauffage par induction conçu pour faire croître des monocristaux de carbure de silicium par dépôt physique en phase vapeur (PVD) dans une atmosphère inerte (argon). Il intègre l'enceinte du four, la gestion du vide et des gaz, le chauffage par induction et le contrôle automatique informatisé pour des opérations de croissance stables et répétables avec enregistrement automatique des processus.

Aperçu du produit :

• Ensembles principaux : composants de la chambre du four, composants supérieurs de la chambre, mécanisme de support d'échantillon, composants de transmission de fenêtre de mesure de température, système d'acquisition et de mesure du vide, système gaz, système d'eau, système de chauffage par induction, système de contrôle automatique.

Structure de la chambre à vide :

• Chambre de croissance : tube en quartz avec brides d'étanchéité supérieure et inférieure en acier inoxydable 316L, traitement de surface spécial ; étanchéité assurée par joint en fluorcaoutchouc importé.

Méthode de dépôt et de chauffage :

• Chauffage par induction d'un creuset en graphite contenant une poudre de carbure de silicium ; sublimation et dépôt sur un germe en carbure de silicium (méthode PVD) en atmosphère d'argon.

Système électrique / de contrôle :

• Système de contrôle informatisé avec écran tactile ; processus piloté par un contrôleur informatique programmable (PCC) hautement fiable permettant un contrôle entièrement automatique et l'enregistrement des informations de procédé.

Remarques complémentaires :

• La structure et le fonctionnement de l'équipement sont conçus pour la stabilité et incluent plusieurs dispositifs de protection sécurité ; le contrôle des débits massiques et de la température est précis.

Caractéristiques techniques :

• Diamètre interne de la cavité en quartz : 400 mm.
• Hauteur de la cavité en quartz : 1100 mm.
• Diamètre de cristal cultivé : capable de croître 6 pouces.
• Degré de vide ultime (à froid, four vide) : ≤ 6.6E-5 Pa.
• Taux de détection de fuite du vide système (cavité en quartz) : ≤ 5.0×10-7 Pa·L/s.
• Indice de maintien de pression 12 heures (four vide, à froid) : ≤ 5 Pa.
• Taille d'échantillon / référence température : 6 pouces (taille germe/cristal prise en charge).
• Surface d'installation recommandée : supérieure à 12 m² ; hauteur minimale du site : 4,5 m.
• Contrôle du procédé : contrôleur informatique programmable (PCC) avec écran tactile et contrôle automatique de croissance des cristaux (automatisation complète et enregistrement des données).