Le système de croissance de films à couche atomique unique (DXALD) est un équipement de dépôt par couches atomiques (ALD) conçu pour la croissance contrôlée et précise de films minces de métaux, d'oxydes, de carbures et de divers matériaux semi‑conducteurs ou supraconducteurs, destiné à la recherche et à l'enseignement.
L'appareil propose des paramètres d'essai flexibles, un fonctionnement fiable et une interface homme‑machine facile à utiliser pour répondre aux exigences complexes de revêtement en milieu universitaire et en instituts scientifiques.
DXALD est principalement utilisé pour la croissance de films diélectriques tels que les oxydes conducteurs transparents et Al2O3 ; le ZnO est donné comme matériau déposé représentatif.
Indice technique
Vide ultime : 5 Pa
Taux de fuite global : < 10^-8 Pa·L/s
Chambre à vide :
Cavité sous vide : cavité sous vide
Matériau / structure : acier inoxydable soudé à l'arc d'argon avec couvercle supérieur amovible
Orifice d'évacuation inférieur : raccordement à une pompe à vide à sec
Chauffage du substrat : système de chauffage externe, plage de température de la température ambiante à 500 °C, continu et réglable
Taille du substrat : Ø 50–100 mm
Uniformité d'épaisseur : pour film ZnO Ø 100 mm, uniformité d'épaisseur < ±1%
Transport des gaz ALD / circuits gaz :
Circuit source liquide : personnalisé
Circuit source gazeuse : personnalisé
Système d'évacuation :
Pompe à vide sèche sans huile bilatérale : 1 jeu
Canalisation de vide : 1 jeu
Contrôle du vide : jauge Pirani — plage de mesure : 1,0×10^-5 Pa à 1×10^-2 Pa
Collecte de données et IHM : 1 jeu
Système de commande informatique / alimentations et contrôles :
Alimentation chauffage échantillon : 1 jeu
Vanne d'échange magnétique : 1 jeu
Alimentation commande principale : 1 jeu
Structure d'installation : acier soudé, masque à dégagement rapide ; roulettes fixables et mobiles
Dimensions de l'équipement (L×l×H) : 600 × 600 × 1200 mm
Caractéristiques / spécifications techniques
Série modèle : DXALD (Single Atomic Layer Film Growing Equipment)
Capacité de vide ultime : 5 Pa
Taux de fuite : < 10^-8 Pa·L/s
Taille de substrat prise en charge : Ø 50–100 mm
Plage du chauffage du substrat : température ambiante à 500 °C (continu, réglable)
Évacuation du vide : pompe à vide à sec sans huile (1 jeu)
Empreinte typique : 600 × 600 × 1200 mm
Exemple de film cible et uniformité : ZnO sur Ø 100 mm, uniformité d'épaisseur < ±1%
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.