Le LQ-DA1201 est une bondeuse (die bonder) haute vitesse et haute précision destinée au conditionnement des circuits intégrés par montage en état solide. L'appareil prend en charge le placement de pâte d'argent et le procédé DAF, accepte l'alimentation LF et par substrat, et l'alimentation des dies prend en charge des cadres/anneaux de wafer 12". La précision maximale de placement atteint ±12,5 µm et le débit peut atteindre 12 000 UPH.
Caractéristiques clés- Compatibilité avec alimentation LF et substrat ; alimentation de dies compatible cadre/anneau de wafer 12"
- Placement de pâte d'argent (patch de colle argent)
- Haute vitesse — UPH jusqu'à 12 000
Domaines d'application- Photonique
- Composants de puissance
- Domaine des dispositifs RF micro-ondes
- Secteur des véhicules à nouvelle énergie
Procédé & Technologie- Méthode de montage : face caractéristique vers le haut, placement haute précision
- Processus de montage : placement par pâte d'argent et procédé DAF
- Applications produit : boîtier SMD pour dispositifs IC
Avantages / Capacités remarquables- Technologie servo recoil — ±12,5 µm (mode précision) ; ±25 µm (mode standard)
- Système de vision multiplexé grande surface — précision angulaire ±1°
- Interface homme‑machine pour l'exploitation
- Dispense gel : calibration automatique de position et reconnaissance de colle
- Support matériaux : anneaux de wafer 6", 8", 12" & GEL-PAK
- Précision de montage : Mode précision — 5 µm @3σ placement ; ±0,5° @3σ rotation. Mode standard — 15 µm @3σ placement ; ±1° @3σ rotation
Caractéristiques techniques- Modèle : LQ-DA1201
- Précision de placement (déclarée) : conforme à ±12,5 µm ; mode précision : 5 µm @3σ
- Précision de rotation de montage : ±0,5° @3σ (précision), ±1° @3σ (standard)
- UPH (débit) : jusqu'à 12 000
- Support d'alimentation des dies : cadre/anneau de wafer 12"
- Processus pris en charge : placement pâte d'argent, DAF
- Méthode de montage : face caractéristique vers le haut