Cible de pulvérisation cathodique en tungstène WTi

cathodique en titane

Résumé
Le tungstène‑titane (WTi) combine la haute densité du tungstène et l’adhérence/ résistance à la corrosion du titane. Composition typique : ≈ 10 % Ti en poids. WTi sert de couche barrière de diffusion et d’agent d’adhérence dans les procédés PVD, empêchant la diffusion d’atomes indésirables entre couches fonctionnelles.

Vos bénéfices en bref

• Pureté : > 99,95 % (options jusqu’à 99,99 % pour le secteur des semi‑conducteurs)
• Densité élevée : ≥ 98 %
• Microstructure homogène et distribution uniforme du titane
• Vitesses de pulvérisation élevées grâce à la densité maximale
• Faible génération de particules lors du dépôt

Champs d’utilisation
Le WTi (≈ 10 % Ti en poids) est utilisé comme barrière de diffusion et promoteur d’adhérence dans la métallisation des micro‑puces (séparation d’aluminium ou de cuivre du silicium). Dans les cellules solaires flexibles CIGS, une couche WTi empêche la diffusion du fer depuis le substrat acier via le contact arrière en molybdène vers le semi‑conducteur, ce qui préservera l’efficacité même à des teneurs en impuretés très faibles. WTi est également adapté aux procédés PVD exigeant peu de contamination particulaire et des vitesses de dépôt élevées.

Formats et production
Plansee fabrique les cibles WTi par métallurgie des poudres. Les cibles sont disponibles en formats plans et rotatifs et en plusieurs tailles — diamètres courants jusqu’à 450 mm selon configuration et demande client.

Qualité des matériaux et contrôle
Plansee maîtrise l’ensemble du procédé : mélange des poudres, pressage, frittage, usinage et collage. Le contrôle des procédés garantit densité, pureté et microstructure constantes. Pureté minimale garantie : généralement 99,95 % (3N5) ; 99,99 % (4N) disponible pour les applications semi‑conducteurs. Une densité et une pureté élevées réduisent la formation de particules et améliorent les résultats de dépôt.

Publications / R&D

• Études sur la contamination particulaire et la formation de nodules dans les films W–Ti corrélant propriétés des cibles et génération de particules durant le dépôt.
• Articles sur les avantages de la métallurgie des poudres pour la production de cibles de pulvérisation.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Système matériau : WTi (Ti typique ≈ 10 % en poids)
• Densité : ≥ 98 %
• Pureté : > 99,95 % (options 99,99 % pour semi‑conducteurs)
• Teneur en titane : ≈ 10 % en poids
• Homogénéité distribution titane : ± 0,5 %
• Microstructure : grain fin, < 50 µm
• Formats disponibles : cibles planes et rotatives ; diamètres jusqu’à 450 mm
• Procédé de fabrication : métallurgie des poudres (mélange, pressage, frittage, usinage, collage)