Microsoudeuse de puces eutectique CoS

pour die attachflip-chipà époxy

Présentation
ASMPT AMICRA CoS est un module de brasage multi-dies dédié aux applications Chip-on-Submount. Il réalise des placements multi-dies de haute précision sur submounts singulés via un brasage eutectique (chauffage par pulse céramique ou chauffage laser localisé sans contact) et peut être équipé d'un estampage époxy adapté à la pâte à braser ou à l'époxy. La table de brasage intègre deux mors : le côté puce utilise l'alignement dynamique ASMPT AMICRA pour un pick-and-place précis, tandis que le côté submount gère l'entrée/sortie des substrats.

Fonctionnalités

• Précision de placement jusqu'à ±1,5 µm @ 3σ
• Conçu pour chip-on-chip, submount et applications carrier
• Chargement/déchargement manuel de wafers et substrats
• Temps de cycle typique 6–10 s (selon application)
• Taille des puces (chauffage laser) : 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Taille des puces (pulse heater) : 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Taille des substrats : 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Alignement dynamique des composants pour un pick-and-place actif
• Fonction Die Attach et Flip Chip
• Système d'éjection séparé pour puce et submount
• Brasage eutectique avec tête chauffante (jusqu'à 350°C) ou pulse heater céramique (jusqu'à 400°C)
• Deux têtes de préhension pour chargement/déchargement des submounts
• Contrôle actif de la force de brasage, plage 5–500 g
• Inspection post-brasage et wafer-mapping inclus
• Entrée/sortie submount compatible Wafer, Gel Pak ou Waffle Pack

Options

• Unité Flip Chip
• Unité d'estampage époxy
• Unité de dispensing
• Unité de chauffage laser localisé pour chauffage sans contact des substrats (jusqu'à 450°C)
• Options supplémentaires personnalisées sur demande

Caractéristiques techniques

• Précision de placement : jusqu'à ±1,5 µm @ 3σ
• Méthodes de brasage : brasage eutectique (pulse heater céramique ou chauffage laser localisé), estampage époxy (option)
• Temps de cycle : rapporté jusqu'à 6 s ; typique 6–10 s selon application
• Taille des puces (laser) : 0,15 x 0,15 mm – 3 x 8 mm
• Taille des puces (pulse) : 0,15 x 0,15 mm – 8 x 8 mm
• Taille des substrats : 0,3 x 0,3 mm – 16 x 16 mm
• Température max tête chauffante : jusqu'à 350°C
• Température max pulse heater céramique : jusqu'à 400°C
• Température max option laser : jusqu'à 450°C
• Contrôle de force : Active Bond Force Control ; plage 5–500 g
• Table de brasage : deux mors de brasage
• Manipulation : deux têtes de prélèvement pour chargement/déchargement des submounts
• Système d'éjection séparé pour puce et submount
• Inspection post-brasage intégrée et wafer-mapping
• Gestion des submounts : entrée/sortie compatible Wafer, Gel Pak ou Waffle Pack