flip-chip, à époxy, eutectique, multi-chip, thermique, chip-on-submount
Mode de fonctionnement
automatisé
Applications
pour l'industrie des semi-conducteurs, pour les micro assemblages, pour wafers, pour capteur, MEMS
Autres caractéristiques
de haute précision, configurable, grande surface
Précision du placement
1 µm
Description
Présentation Le NOVA Pro d'ASMPT AMICRA est un système de collage de die destiné aux assemblages flip‑chip et à la pose de composants avec haute précision. Il assure une précision de placement jusqu'à ±1,0 µm @ 3σ tout en permettant des opérations de collage à des températures supérieures à 350°C et sous fortes forces d'assemblage. Le système intègre un alignement dynamique et un chauffage du substrat par laser et prend en charge le thermocompression (TCB) et les processus liés aux TSV.
Applications / Marchés
Optoélectronique
Photonique sur silicium
Assemblage VCSEL et diodes laser
Assemblage de photodiodes
Fixation d'objectifs avec adhésifs UV
Assemblages Active Optical Cable (AOC)
Boîtiers de transceiver
Flip chip
3D IC / 2.5D IC
Thermocompression (TCB)
Processus Through‑Silicon Via (TSV)
Chip on Chip, Chip on Wafer, Chip on Substrate
Multi‑Chip Module (MCM)
Collage époxy pour packaging avancé
Collage eutectique in‑situ
Assemblage de MEMS et capteurs
WLP / eWLP
Principales caractéristiques
Bonder de die / bonder flip‑chip haute précision
Précision de placement : ±1,0 µm @ 3σ
Capacité de collage à des températures > 350°C avec fortes forces
Temps de cycle < 3 s
Concept machine modulaire pour applications micro‑assemblage
Collage eutectique via diode‑laser, plaque chauffante, ou estampage/dispensing d'époxy
Capacité multi flip‑chip
Cartographie de wafers
Inspection et mesure post‑collage
Contrôle actif de la force de collage
Méthode d'alignement dynamique et chauffage du substrat par laser
Autoloading
Wafers jusqu'à 12"
Wafers 300 mm
Wafers substrat 450 mm
Options
Cuisson UV
Dispensing
Modules additionnels disponibles
Caractéristiques / Spécifications techniques
Précision de placement : ±1,0 µm @ 3σ
Zone de travail du substrat : 550 x 600 mm
Temps de cycle : < 3 s
Contrôle actif de la force de collage
Méthodes de collage eutectique : diode‑laser, plaque chauffante, estampage et dispensing d'époxy
Support du thermocompression (TCB) et des processus TSV
Multi flip‑chip
Capacité de cartographie de wafer
Inspection / mesure post‑collage
Alignement dynamique et chauffage du substrat par laser
Capable de coller à des températures supérieures à 350°C
*Les performances dépendent du package et des matériaux
* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
À propos de DirectIndustry
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