Machine à rainurer automatique ALSI LASER1206

Présentation
Vous recherchez une plateforme adaptée au développement de nouveaux procédés pour l'Advanced Packaging ou les applications Power Automotive ? La plateforme ALSI LASER1206 d'ASMPT intègre une technologie laser avancée pour franchir une nouvelle étape dans vos process de fabrication de puces.

Caractéristiques & avantages

• Technologie laser avancée multi-faisceaux : charge thermique locale limitée pour une qualité de procédé optimale et une haute résistance des puces.
• Capacité de découpe (dicing) et de rainurage (grooving) adaptée à la production en grande série.
• Prises en charge entièrement automatisées des wafers en cadre film et des wafers nus.
• Inclut des stations d'enduction, de nettoyage et de séchage des wafers.
• Mini-environnement propre (Classe 1000) : portes fermées entre chaque module de processus.

Applications
La LASER1206 prend en charge plusieurs procédés et matériaux semi-conducteurs :

• UV-Dicing Plus
  • Matériaux : Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
  • Épaisseur des wafers : 20–200 µm
  • Procédés : découpe V-DOE, trenching, deep scribe
• UV-USP-Grooving
  • Matériaux : Low-K, PI, TEG
  • Épaisseur des wafers : 60–800 µm
  • Procédés : trenching, grooving, deep scribe

Description de la plateforme
La plateforme entièrement automatisée ALSI LASER1206 manipule des wafers en cadre film ou des wafers nus dans un environnement propre. La plateforme élimine les dommages thermiques responsables de la formation d'ébavures et constitue un outil essentiel en pré-procédé pour le plasma dicing et d'autres méthodes de traitement de wafers de nouvelle génération.

Caractéristiques techniques

• Technologie laser avancée multi-faisceaux pour limiter la charge thermique locale et maximiser la résistance des puces
• Capacités de dicing et de grooving optimisées pour la fabrication en grand volume
• Manipulation automatisée : support des wafers en cadre film et des wafers nus
• Stations intégrées d'enduction, de nettoyage et de séchage des wafers
• Mini-environnement propre (Classe 1000) avec portes fermées entre les modules
• Procédés supportés : V-DOE dicing, trenching, deep scribe, grooving
• Matériaux supportés : Low-K, PI, Si, SiC, GaN, GaAs, TEG, BSM, Mold, DAF, NCF
• Plages d'épaisseur des wafers : 20–200 µm (UV-Dicing Plus) et 60–800 µm (UV-USP-Grooving)