Machine de découpe laser RM-LS-SiC-1200

pour silicium monocristallinde waferpour l'industrie des semi-conducteurs

En utilisant des lasers à bande semi-transparente pour cibler avec précision l'intérieur du lingot, une couche de modification uniforme se forme grâce à l'effet multiphotonique, induisant une propagation contrôlable des microfissures. Cette étape est suivie d'un processus de décollement assisté par ultrasons permettant le décollement complet du substrat. Cet équipement permet de réaliser efficacement le décollement de lingots de SiC et l'amincissement de précision de plaquettes, tout en étant compatible avec le décollement de matériaux cristallins durs et cassants tels que le GaN et le diamant. Il se caractérise par une perte de décollement ultra-faible, une grande planéité, l’absence de contraintes mécaniques et une haute efficacité de production en série, ce qui en fait un équipement de production en série essentiel pour les dispositifs de puissance à semi-conducteurs à large bande interdite.* Adapté aux formats 8/12 pouces Module central développé en interne Algorithmes et structures centraux pour le suivi de la mise au point, le contrôle du champ lumineux et le prélèvement guidé des plaquettes. Faible perte de matière Perte totale après meulage aussi faible que 100 µm (plaquette conductrice de 8 pouces). Rendement de traitement élevé Rendement de traitement élevé : 15 min/plaquette. Solution intégrée Solution intégrant la modification au laser + la séparation assistée par ultrasons + le prélèvement automatique des plaquettes + l’AOI.