Transistors STMicroelectronics

1 société | 8 produits
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transistor MOSFET
transistor MOSFET
L9338

Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V

... ST propose une large gamme d'interrupteurs bas-côté intelligents 3 et 5 broches de qualité automobile (OMNIFET) basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie brevetée permet l'intégration de circuits ...

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STMicroelectronics
module transistors IGBT
module transistors IGBT
STPOWER

... Les modules de puissance intelligents SLLIMM appartiennent à la famille des IPMs qui permettent la combinaison de puces de silicium optimisées et intègrent avec 3 blocs onduleurs principaux : étage de puissance (IGBT robustes en court-circuit ...

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STMicroelectronics
transistor NPN
transistor NPN
HD1750FX

Courant: 24 A
Tension: 1 700 V

... Le dispositif utilise un collecteur diffus en technologie planaire adoptant la "structure haute tension améliorée" (EHVS1) mise au point pour les écrans CRT haute définition. La nouvelle série de produits HD présente une efficacité améliorée ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGB8NC60KDT4

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGD8NC60KD

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGF8NC60KD

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGP8NC60KD

Courant: 8 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...

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STMicroelectronics
transistor IGBT
transistor IGBT
STGW30NC60KD

Courant: 30 A
Tension: 600 V

... Cet IGBT utilise le procédé avancé PowerMESH, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...

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