- Électricité - Électronique
- Composant Électronique
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Module transistors IGBT RT25PI120B9Hde puissance
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de puissance
- Courant
10 A, 25 A
- Tension
1 200 V
Description
Caractéristiques
Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT
Capacité de court-circuit de -10ps
-Versât) avec coefficient de température positif
-Boîtier à faible inductance
-Recouvrement inversé rapide et doux anti-parallèle FWD
-Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications typiques
-Onduleur pour l'entraînement du moteur
-Condition de l'air
-Alimentation électrique ininterrompue
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Catalogues
RT25PI120B9H PIM module
11 Pages
"RT25PI120B9H" IGBT Module
13 Pages
Autres produits Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.