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Module transistors IGBT RT25PI120B9H
de puissance

Module transistors IGBT - RT25PI120B9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance
Module transistors IGBT - RT25PI120B9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance
Module transistors IGBT - RT25PI120B9H - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance - image - 2
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de puissance
Courant

10 A, 25 A

Tension

1 200 V

Description

Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide et doux anti-parallèle FWD -Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC Applications typiques -Onduleur pour l'entraînement du moteur -Condition de l'air -Alimentation électrique ininterrompue

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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Autres produits Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

Discrete IGBT & Module power semi conductors

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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