Transistors par résistance

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transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSZ063N04LS6

Courant: 40 A
Tension: 40 V

... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSZ024N04LS6

Courant: 130 A
Tension: 40 V

... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSC022N04LS6

Courant: 139 A
Tension: 40 V

... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSZ021N04LS6

Courant: 147 A
Tension: 40 V

... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSC010N04LS6

Courant: 285 A
Tension: 40 V

... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSC007N04LS6

Courant: 381 A
Tension: 40 V

... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET
transistor MOSFET
BSC059N04LS6

Courant: 381 A
Tension: 40 V

... serveurs, les PC de bureau, les chargeurs sans fil, les chargeurs rapides et les circuits ORing. Les améliorations de la résistance à l'état passant (RDS(on)) et de la figure de mérite (FOM - RDS(on) x Qg et Qgd) permettent ...

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Infineon Technologies AG
transistor de puissance
transistor de puissance
PDHS545-NB195-S03-T3

Courant: 5 A
Tension: 500 V

... Douilles pour transistors de puissance 5.pas de 45mm / 0.215 Haute température Faible dégagement gazeux Contact rond de haute fiabilité offrant de bonnes performances électriques et mécaniques. Les douilles de test pour ...

transistor de puissance
transistor de puissance
PDSA-NB195-S0504-GG

Courant: 5 A

... Douilles pour transistors de puissance Pour TO-247 (4 broches) Haute temp. ℃ Faible dégagement gazeux Cette douille de test pour transistor de puissance est compatible avec le boîtier TO-247(4 broches) ...

transistor de puissance
transistor de puissance
M-L245-BK-T30-P

Courant: 5 A

... le montage. ● Une douille à broche ronde très fiable est utilisée pour la partie contact. Courant nominal - Résistance du contact - Résistance d'isolation Plage de température - Manchon - Laiton, placage ...

transistor HEMT
transistor HEMT
GNP1070TC-Z

Courant: 20 A
Tension: 650 V

... qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la taille en utilisant au mieux la faible résistance ON et la commutation à grande vitesse. La fonction de protection ESD est intégrée pour ...

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ROHM Semiconductor
module transistors MOSFET
module transistors MOSFET
HP8KB6

Courant: 24 A
Tension: 40 V

... HP8KB6 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...

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ROHM Semiconductor
module transistors MOSFET
module transistors MOSFET
HP8KB7

Courant: 24 A
Tension: 40 V

... HP8KB7 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...

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ROHM Semiconductor
module transistors MOSFET
module transistors MOSFET
HP8KC6

Courant: 23 A
Tension: 60 V

... HP8KC6 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...

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ROHM Semiconductor
module transistors MOSFET
module transistors MOSFET
HP8KC7

Courant: 24 A
Tension: 60 V

... HP8KC7 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. Caractéristiques : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface ...

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ROHM Semiconductor
transistor bipolaire
transistor bipolaire
50A02CH

Courant: -0,5 A
Tension: -50 V

... 'inhibition Caractéristiques Capacité de courant de collecteur élevé Faible tension (résistance) de saturation entre le collecteur et l'émetteur : Faible résistance à l'enclenchement (Ron) Sans plomb, ...

transistor MOSFET
transistor MOSFET
L9338

Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V

... commutateurs bas de gamme de ST comprend des circuits d'attaque simples et doubles avec un statut numérique et des valeurs de résistance allant de 10 mΩ à 300 mΩ. Ces appareils polyvalents s'adressent à de nombreuses ...

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