Transistor bipolaire DMB series
MOSFETde commutation

transistor bipolaire
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Caractéristiques

Type
bipolaire, MOSFET
Technologie
de commutation
Tension

20 V, 50 V

Description

Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble de montage en surface ultra-petit Sans plomb, sans halogène et sans antimoine, conforme RoHS (Note 2) Barrière MOSFET protégée ESD jusqu'à 2kV Dispositif " vert " (Note 3) Qualifié selon les normes AEC-Q101 pour une fiabilité élevée

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