Transistor IGBT XPT™ series

de puissance

Les commutateurs à semi-conducteurs les plus performants se caractérisent par une faible résistance thermique, un faible courant résiduel, de faibles pertes d’énergie et des capacités de commutation à grande vitesse. Les IGBT « eXtreme light punch through » (XPT) de Littelfuse répondent à tous ces critères. Disponibles en version plane ou « trench », ces transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) haute tension peuvent être utilisés en parallèle. Cette configuration permet de réaliser des économies et simplifie la conception du circuit de commande de grille. L’installation de diodes à récupération rapide avec nos IGBT XPT garantit une commutation plus fluide et réduit considérablement les interférences électromagnétiques. Caractéristiques Disponibles avec des tensions nominales continues (VCES) de 600 V à 4,5 kV Disponibles avec des courants nominaux typiques de 9 A à 94 A Tensions de saturation généralement inférieures à 4 V Faible résistance boîtier-jonction (par exemple, 92 mK/W, 4,4 K/W) Avantages Le coefficient de température positif de la tension à l’état passant facilite le montage en parallèle Faibles exigences en matière de courant de grille Disponibles avec des diodes à récupération rapide intégrées Boîtiers conformes aux normes internationales