Transistor IGBT 5SN series
de puissancede commutation

transistor IGBT
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de puissance, de commutation
Courant

Max: 3 600 A

Min: 150 A

Tension

1 200 V, 1 700 V, 3 300 V, 4 500 V, 6 500 V

Description

Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT HiPak à haute puissance offrent de faibles pertes combinées à une performance de commutation douce et une zone d’opération sûre (ZOS) record. Les nouveaux modules IGBT 62Pak et LoPak à commutation rapide moyenne puissance offrent les pertes de commutation les plus faibles, un fonctionnement complet à 175 °C avec ZOS carrée complète et un ensemble standard permettant un remplacement par insertion.

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.