Transistor FET

à effet de champde puissancesilencieux

Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage de la station de base LNA grâce à l'excellente combinaison d'un faible facteur de bruit et d'une linéarité améliorée Les transistors RF bipolaires d'Avagos offrent des performances élevées qui sont optimisées pour un maximum de fT à basse tension, ce qui les rend idéaux pour une utilisation dans des applications alimentées par batterie dans les marchés sans fil.