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Transistor MOSFET IPD900P06NM
de puissancede commutationà avalanche

Transistor MOSFET - IPD900P06NM - Infineon Technologies AG - de puissance / de commutation / à avalanche
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Caractéristiques

Type
MOSFET
Technologie
de puissance, de commutation
Autres caractéristiques
à avalanche, pour les techniques automobiles
Courant

-16,4 A

Tension

-60 V

Description

Aperçu
  • IPD900P06NM est un MOSFET de puissance canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion d'alimentation.
  • Technologie : OptiMOS™
  • Polarité : P (canal P)
  • Boîtier typique : DPAK (TO-252)


Paramètres électriques clés
  • Tension drain-source maximale (VDS max) : -60 V
  • Résistance à l'état passant maximale (RDS(on) max) : 90 mΩ


Identifiants et classification du produit
  • Manufacturer: Infineon Technologies
  • Référence fabricant (MPN) / ISPN : IPD900P06NM
  • Numéro de commande (OPN) : IPD900P06NMATMA1
  • ID ISPN : 23206
  • SP Number : SP004987258
  • Famille : P-Channel
  • État du produit : active


Informations sur le boîtier typique
  • Boîtier : DPAK (TO-252)


Applications et positionnement
  • Adapté aux fonctions de commutation canal P, de commutation de charge et de gestion d'alimentation au niveau carte nécessitant un MOSFET canal P en boîtier DPAK.


Caractéristiques techniques / spécifications
  • Type de composant : MOSFET de puissance canal P
  • VDS (max) : -60 V
  • RDS(on) (max) : 90 mΩ
  • Boîtier : DPAK (TO-252)
  • Technologie : OptiMOS™
  • Polarité : P

Catalogues

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Pages

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.